[9급 국가직 전자공학개론 2019년 6번]

다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. ①n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.
2. ②게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.
3. ③전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.
4. ④드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)