[7급 국가직 전자회로 2025년 25번]

다음 회로의 전달함수 $\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{out}}(\mathrm{s})}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{in}}(\mathrm{s})}$에서 ${\mathrm{C}}_{\mathrm{S}}$에 의한 하한 임계주파수 ${\mathrm{f}}_{3\mathrm{dB}}$는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하며 소신호 등가회로는 우측의 회로와 같다. 또한, 트랜지스터의 내부 기생 커패시턴스는 무시하며, ${\mathrm{g}}_{\mathrm{m}}{\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}\gg 1$이다)

1. ①$\frac{1}{2\pi }\frac{g_m{R}_S}{C_S}$
2. ②$\frac{1}{2\pi }\frac{1}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}{\mathrm{C}}_{\mathrm{S}}}$
3. ③$\frac{1}{2\pi }\frac{1+{\mathrm{g}}_{\mathrm{m}}{\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{S}}{\mathrm{C}}_{\mathrm{S}}}$
4. ④$\frac{1}{2\pi }\frac{g_m{R}_S}{\left[R_S\parallel \left(\frac{1}{g_m}\right)\right]C_S}$

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)