7급 국가직 전자회로 2021년 기출문제

비안정(astable) 멀티바이브레이터

쌍안정(bistable) 멀티바이브레이터

비안정(astable) 멀티바이브레이터

쌍안정(bistable) 멀티바이브레이터

시행 2021-09-11 · 책형 가 · 25문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2021 7급 국가직 전과목

다음 RLC 회로가 공진주파수

f_{r}

에서 동작할 때, 발생하는 특징으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①저항 $R$ 양단에 인가되는 전압이 최소가 된다.
②등가 임피던스가 최소이므로 회로에 흐르는 전류는 최대가 된다.
③인덕터 $L$ 과 커패시터 $C$ 의 직렬 연결 양단전압은 0 [V]이 된다.
④저항만 있는 등가회로로 전압과 전류의 위상차가 발생하지 않는다.

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정답 ① · 해설 보기

어떤 진폭 변조파가

v

＝ (

100

＋

40 sin 600 π t

)

sin 1 0^{6} π t

[V]로 표시될 때, 피변조파의 반송파 전력

P_{C}

, 상측파 전력

P_{U}

, 하측파 전력

P_{L}

의 비율은?

	$P_{C}$		$P_{U}$		$P_{L}$
①	1	:	0.2	:	0.2
②	1	:	0.22	:	0.22
③	1	:	0.4	:	0.4
④	1	:	0.04	:	0.04

전자회로

①①
②②
③③
④④

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플립－플롭(flip-flop)의 클록(clock) 주파수가 25 [MHz]이고 클록 펄스 폭이 30 [ns]일 때, 듀티 사이클(duty cycle)[%]은?

전자회로

①25
②50
③75
④100

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그림

(a)

의 단자

a

b

사이의 커패시턴스가 그림

(b)

의

C_{eq}

와 등가인 것은?

전자회로

① $C (1 - K)$
② $C (1 + K)$
③ $\frac{C}{1 - K}$
④ $\frac{C}{1 + K}$

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다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①전압 증폭률은 1보다 약간 작거나 대략 같다.
②공통－컬렉터 증폭기이다.
③입력신호와 출력신호의 위상차는 180도이다.
④낮은 저항값을 갖는 부하를 구동하기에 적당하다.

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다음 증가형 MOSFET 회로에서

V_{DS}

[V]는? (단,

V_{GS (th)} =

2 [V]이고,

V_{GS (on)}

이 4 [V]일 때

I_{D (on)} =

400 [mA]이다)

전자회로

①10
②10.6
③11.2
④14

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다음 소신호 증폭기의 입력 임피던스

R_{i}

와 출력 임피던스

R_{o}

에 가장 가까운 것은? (단, 베이스－이미터 간 교류 입력 저항

r_{π}

＝

1 [k Ω]

, 교류 출력 저항

r_{o}

＝

\infty

이다)

R_{i}

R_{o}

전자회로

①1 [kΩ] 4 [Ω]
②4 [Ω] 1 [kΩ]
③30 [Ω] 102 [kΩ]
④102 [kΩ] 30 [Ω]

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그림

(a)

증폭회로의 소신호 전압증폭도

\frac{V _{o}}{V _{i}}

는? (단,

V_{BE} =

0.7 [V],

V_{T} = 26

[mV]이며, 소신호 등가회로는 그림

(b)

와 같다)

전자회로

①49
②51
③98
④102

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다음 증폭기 회로에서 출력전압

V_{out} [V]

은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①2
②4
③8
④12

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10.

다음 MOSFET 회로가 포화영역에서 동작하고 있다고 할 때, 저항값

R_{in}

은? (단, 전달컨덕턴스는

g_{m}

, 소신호 출력저항은

r_{ds}

이다)

전자회로

① $\frac{r _{ds} + R _{d}}{1 + g _{m} r _{ds}}$
② $(1 + g_{m} r_{ds}) R_{d}$
③ $\frac{1 + g _{m} R _{d}}{g _{m} R _{d}} r_{ds}$
④ $\frac{1}{g _{m}} + \frac{R _{d}}{1 + g _{m} r _{ds}}$

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11.

다음 회로에서 교류 전압이득

V_{out}

V_{i}_{n}

은

A_{V1}

이고, 점선 내의

C_{2}

를 제거했을 때의 교류 전압이득을

A_{V2}

라고 했을 때,

\frac{A _{V1}}{A _{V2}}

은? (단, 교류 출력 저항

r_{o} = \infty

, 교류 이미터 저항은

r_{e}

이다)

전자회로

① $\frac{R _{C}}{r _{e}}$
② $\frac{r _{e} + R _{E}}{r _{e}}$
③ $\frac{r _{e}}{r _{e} + R _{E}}$
④ $\frac{r _{e} + R _{C}}{r _{e} + R _{E}}$

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12.

다음 555 타이머 IC를 사용한 신호 발생기 회로에서 회로 이름과

V_{x}

의 파형으로 옳은 것은?

전자회로

①①
②②
③③
④④

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13.

다음 회로와 같은 동작을 하는 논리게이트는? (단,

V_{a}

V_{b}

는

V_{CC}

또는 0 [V] 크기를 갖는 논리 신호이다)

전자회로

①OR
②AND
③NOR
④NAND

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14.

다음 두 개의 논리회로에서 입력

A

B

에 대한 출력

Y_{1}

Y_{2}

의 논리식으로 옳은 것은?

	$Y_{1}$	$Y_{2}$
①	$A$ ＋ $B$	$A$ · $B$
②	$A$ · $B$	$A$ ＋ $B$
③	$A$ · $B$	$A$ · $B$
④	$A$ · $B$	$A$ ＋ $B$

전자회로

①①
②②
③③
④④

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15.

그림

(a)

에 나타낸 정류회로의 출력

V_{out}

에 대한 파형이 그림

(b)

와 같을 경우에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단,

V_{in}

은 주기가

T

인 교류신호이다)

전자회로

① $T_{1}$ 동안 커패시터는 충전된다.
②커패시터 $C$ 값이 클수록 리플(ripple) 전압의 크기가 커진다.
③부하저항 $R_{L}$ 값이 클수록 리플 전압의 크기가 작아진다.
④정류기 전압이 피크전압 이하로 떨어지면, 커패시터가 부하를 통하여 방전하는 시간은 $T_{2}$ 이다.

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16.

다음 승압형 정전압 조정기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소자들은 이상적이고 정상상태에서 동작하며, 인덕터 전류는 연속이고 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①듀티비(duty ratio)는 0.75이다.
②인덕터( $L$ ) 값을 2배 증가시켜도 출력전압( $V_{out}$ )은 변하지 않는다.
③스위치( $Q_{1}$ )이 턴온(turn-on) 될 때, 다이오드( $D_{1}$ )에 인가되는 역전압은 80 [V]이다.
④듀티비를 일정한 값으로 유지하면서, 동작 주파수를 변경하면 출력전압이 가변된다.

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17.

그림

(a)

에 주어진 카르노 맵을 그림

(b)

의 NAND 게이트만으로 구현할 때, 그림

(b)

의 입력

(가)

(나)

에 들어갈 것은?

$yz$ $w x$	00	01	11	10
00	1	1
01	1	1
11	1
10	1	1	1	1
$(a)$

(b)

(가)

(나)

전자회로

① $y$ $x$
② $y$ $x$
③ $x$ $y$
④ $x$ $y$

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18.

다음 회로에서 트랜지스터의 컬렉터 전류

I_{C}

[mA]로 가장 가까운 것은? (단, 트랜지스터의

V_{BE}

＝ 0.7 [V]이고,

I_{Z} ≪ I_{C}

이다)

전자회로

①20
②82
③89
④109

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19.

다음과 같은 입·출력 히스테리시스 특성 곡선을 갖는 회로는?

전자회로

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20.

다음 CMOS 반전기(inverter)의 특징으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①반전기의 입력 저항은 매우 크다.
②누설전류를 무시하면, 정전력 소모는 0이다.
③출력 단자와 접지 혹은 $V_{DD}$ 사이에 높은 저항 통로가 존재한다.
④ $V_{i}$ ＝ $V_{DD}$ 일 때 $Q_{P}$ 는 OFF되고, $Q_{N}$ 은 ON된다.

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21.

트랜지스터 증폭기 회로의 주파수 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①밀러 효과(Miller effect)는 상한 차단주파수를 낮추는 효과가 있다.
②기생(parasitic) 커패시터의 값이 클수록 상한 차단주파수는 낮아진다.
③커플링(coupling) 커패시터의 값이 클수록 하한 차단주파수는 낮아진다.
④일반적으로 공통소스(common-source) 증폭기는 공통게이트(common-gate) 증폭기보다 상한 차단주파수가 높다.

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22.

다음 회로의 발진주파수[kHz]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①7.25
②8.25
③9.25
④10.25

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23.

다음 능동필터 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①샐런-키(Sallen-Key) 2차 고역통과필터이다.
②주파수가 증가함에 따라 비반전 입력전압도 증가한다.
③단위이득을 갖는 2차 저역통과필터이다.
④필터의 차단주파수는 $f$ ＝ $\frac{1}{2 π R C _{1} C _{2}}$ 이고, 20 dB/decade의 비율로 롤－오프(roll-off) 특성을 갖는다.

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24.

다음 회로에서 입력

V_{i}_{n}

에 대하여 출력

V_{out}

이 얻어질 때, 입력신호의 주파수[MHz]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①0.1
②0.5
③1
④5

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25.

다음 회로의 전압이득

\frac{V _{out}}{V _{i n}}

은? (단, 연산증폭기의 전압이득

A_{0}

는 유한한 값이다)

전자회로

① $\frac{- R _{1} / R _{2}}{1 + \frac{1 + R _{1} / R _{2}}{A _{0}}}$
② $\frac{- R _{2} / R _{1}}{1 + \frac{1 + R _{2} / R _{1}}{A _{0}}}$
③ $\frac{1 + R _{1} / R _{2}}{1 + \frac{1 + R _{1} / R _{2}}{A _{0}}}$
④ $\frac{1 + R _{2} / R _{1}}{1 + \frac{1 + R _{2} / R _{1}}{A _{0}}}$

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