7급 국가직 전자회로 2022년 기출문제

1 [kHz]에서 10 [kHz] 사이의 주파수 성분을 가진 음성 입력 신호를 1 [MHz]의 반송파로 진폭 변조를 할 경우, 변조된 출력 신호에 나타나지 않는 주파수[kHz]는?

아날로그 신호를 펄스부호변조(PCM) 신호로 변조하는 순서를 옳게 나타낸 것은?

그림 (a)의 회로에서 그림 (b)의 보드선도(Bode plot)를 이용하여 구한 커패시턴스 ${\mathrm{C}}_1$ [$\mu \mathrm{F}$], ${\mathrm{C}}_2$ [$\mu \mathrm{F}$]는? (단, ${\mathrm{R}}_1$ ～ ${\mathrm{R}}_6$ ＝ $1[\mathrm{k}\Omega ]$이고, 연산증폭기는 이상적이다)

${\mathrm{C}}_1$ ${\mathrm{C}}_2$

다음 회로에서 변압기를 통과한 2차 교류전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}}(\mathrm{t})$ ＝ $100\pi \sin (2\pi \times 60t)$ [V]일 때, 직류 부하 전압 $V_{R_L}$ [V]와 직류 부하 전류 $I_{R_L}$ [A]는? (단, 다이오드의 순방향 전압강하는 0 [V]이다)

$V_{R_L}$ $I_{R_L}$

동일한 메시지 신호에 대해서 주파수 변조방식을 진폭 변조방식과 비교했을 때의 일반적인 특징으로 옳지 않은 것은?

송신기 회로의 일부분인 전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것만을 모두 고르면?

ㄱ. A급 전력증폭기는 동작점이 교류부하선의 중앙에 위치할 때, 최대효율이 75 %이다.

ㄴ. B급 전력증폭기는 동작점이 차단점에 위치하며 컬렉터 전류가 반주기보다 긴 시간 동안 흐른다.

ㄷ. C급 전력증폭기는 동작점이 차단점 이하에 위치하며 최대효율이 100 %에 근접한다.

ㄹ. AB급 푸시풀 전력증폭기는 B급 푸시풀 전력증폭기의 교차일그러짐(crossover distortion)을 해결한 증폭기이다.

다음 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

다음 전원회로에서 출력 정전압 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}}$ [V]에 가장 가까운 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

다음 그래프는 JFET의 전류－전압 특성 곡선이다. ${\mathrm{V}}_{\mathrm{P}}$이상에서 ${\mathrm{I}}_{\mathrm{D}}$가 포화되는 주된 이유로 옳은 것은?

다음 1차 저역 통과 필터 회로에서 차단주파수[kHz]는? (단, 차단주파수 이하에서의 전압이득 ${\mathrm{A}}_{\mathrm{V}}$ ＝ 11이며, 연산증폭기는 이상적이다)

네 개의 T 플립－플롭들이 직렬로 접속된 주파수 감쇠기에서 입력 클록신호의 주파수가 800 [MHz]일 때, 마지막 T 플립－플롭으로 출력되는 신호의 주파수[MHz]는?

다음 회로에서 출력 ${\mathrm{V}}_{\mathrm{o}}$ [V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

다음 논리회로에서 출력 $\mathrm{F}$의 논리식으로 옳은 것은?

개방루프 이득이 1,000이고, 대역폭이 10 [MHz]인 연산증폭기가 있다. 비반전 연산증폭기를 구성한 결과 폐루프 이득이 100일 때, 대역폭[MHz]은?

논리식 $\mathrm{F}=\left(\mathrm{A}+\mathrm{B}\right)\left(\mathrm{A}+\overline{\mathrm{B}}\right)$를 간략하게 표현한 것은?

다음 논리회로에서 출력 Y의 논리식으로 옳은 것은?

다음 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 발진회로의 공진주파수는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

메모리에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 그림에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, ${\mathrm{V}}_{\mathrm{TN}}$은 문턱전압이다)

다음 회로의 발진주파수는? (단, ${\mathrm{R}}_{\mathrm{f}}$ ＝ 29$\mathrm{R}$이고 연산증폭기는 이상적이다)

다음 차동 증폭기에서 ${\mathrm{M}}_1$과 ${\mathrm{M}}_2$의 모든 특성이 완벽하게 같을 때, 전압이득 $\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{i}}}$은? (단, ${\mathrm{g}}_{\mathrm{m}}$은 전달컨덕턴스이다)

MOSFET 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

다음 회로에서 ${\mathrm{R}}_{\mathrm{E}}$의 역할에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, $\mathrm{C}$ ＝ $\infty$이다)

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, I는 정전류원으로 이상적이며, 베이스－이미터 간 교류 입력 저항은 ${\mathrm{r}}_{\pi }$, 교류 출력 저항 ${\mathrm{r}}_{\mathrm{o}}$ ＝ $\infty$, $\mathrm{C}$ ＝ $\infty$이다)