9급 지방직 전자공학개론 2011년 기출문제

2의 보수(two's-complement)로 표현된 8-bit 부호표시 이진수(signed binary number)시스템에서 다음 계산을 수행할 경우, 오버플로우(overflow)가 발생하는 것은?

정류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 MOSFET를 사용한 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

다음 <그림 1>의 회로를 테브닌(Thevenin) 등가회로를 이용하여 <그림 2>회로와 같이 변형하였을 때, <그림 2>회로에서 $V_{TH}[\mathrm{V}]$값과 $R_{TH}[\Omega ]$값은?

$V_{TH}$ $R_{TH}$

다음 설명에 해당하는 발진기를 바르게 나열한 것은?

㉠ 신호전압의 일부가 귀환될 때 변압기 결합을 이용하는 LC 발진기로, 발진 주파수는 변압기의 1차코일 측의 인덕터와 캐퍼시터에 따라 결정된다.

㉡ 정현파 발진기로 정귀환을 이용하여 진상－지상 회로로 구성된다. 진상－지상회로의 위상지연이 0도이고, 감쇠가 1/3일 때 발진주파수를 갖는다.

㉠ ㉡

그림과 같은 에미터 폴로워(Emitter Follower)회로에서 입력 임피던스 $Z_i[k\Omega ]$에 가장 가까운 값은? (단, $V_{BE}=0.7\mathrm{V}$이다)

격자코드변조(trellis-coded modulation)를 사용하는 모뎀(modem)에서 매 심볼(symbol)당 한 비트(bit)를 중복비트로 추가하여 32 QAM 변조방식을 사용하였다. 변조속도가 2,400 [baud]일 때 데이터 속도[bps]는?

변조도 60 %의 진폭변조(AM)에서 반송파의 전력이 400 [mW]일 때 피변조파의 출력전력[mW]은?

다음 멀티플렉서(multiplexer)가 구현하는 부울대수(boolean algebra) 표현으로 옳은 것은?

다음 연산증폭기 회로에서 입력 $V_I=5[\mathrm{V}]$일 때, 출력값$V_o[\mathrm{V}]$는?

두 개의 MOSFET 스위치(PU, PD)로 이루어진 아래 CMOS 인버터(inverter)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

전송 오류 제어 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

18개의 상태(state)를 가진 순서회로를 D-플립플롭을 사용하여 구현할 때, ㉠, ㉡에 필요한 플립플롭의 수는?

㉠ 이진부호화(binary encoding) 상태할당(최소수의 플립플롭)

㉡ one-hot 상태할당

㉠ ㉡

다음 고정 바이어스 회로에서 트랜지스터의 컬렉터－에미터 영역에 걸리는 $V_{CE}[\mathrm{V}]$값에 가장 가까운 것은? (단, $V_{BE}=0.7\mathrm{V}$이다)

전자회로소자에 대한 설명으로 옳은 것은?

입력으로 <그림 1>과 같은 삼각파를 인가했을 때, <그림 2>와 같은 출력파의 파형이 나오는 회로는? (단, 다이오드는 이상적이다)

<그림 1> <그림 2>

다음 출력 파형이 나머지 셋과 다르게 나타나는 것은?

다음과 같이 표현된 함수 f(A, B, C, D)를 실현한 것으로 옳지 않은 것은? (단, X는 ‘don't care’ 상태를 의미한다)

다음 캐스코드(cascode) 증폭기에 대해 무부하전압 이득($A_v$)을 계산한 값에 가장 가까운 것은? (단, $V_{B_1}=4.9\mathrm{V},V_{B_2}=10.8\mathrm{V},$ $I_{C_1}\cong I\cong I_{C_2}=3.8\mathrm{mA},$ 각 트랜지스터의 dynamic resistance $r_e=6.8\Omega$이다)