9급 지방직 전자공학개론 2023년 기출문제

다음 주기적인 전류파형 $i(t)$의 실횻값[A]과 4 [Ω]의 저항에서 소모되는 평균전력[W]은?

실횻값 평균전력

n채널 공핍형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

논리회로에서 사용되는 수 체계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 연산증폭기 회로에서 저항 $R$과 커패시터 $C$를 각각 하나씩 사용하여 미분기와 적분기를 구현하려 할 때, $Z_{\mathrm{i}}$에 사용될 소자와 증폭기 종류는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

미분기($Z_{\mathrm{i}}$) 적분기($Z_{\mathrm{i}}$) 증폭기

다음 555타이머 IC를 활용한 구형파 발생 회로가 정상동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 $T$ 플립플롭 회로에서 입력신호 Clock, Input이 인가되었을 때, 구간 ($t_2$ ～ $t_3$)와 ($t_7$ ～ $t_8$)에서 출력 $Q_1$, $Q_2$는? (단, 출력 $Q_1$, $Q_2$는 0으로 초기화되어 있고, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다)

		( $t_2$ ～ $t_3$ )				( $t_7$ ～ $t_8$ )
	$\underline{Q_1}$		$\underline{Q_2}$		$\underline{Q_1}$		$\underline{Q_2}$
①	0		1		0		1
②	1		0		1		1
③	0		1		0		0
④	1		1		1		0

다음 회로가 정상상태(steady state)일 때, 전류 $i_2$ [A]는?

증폭기의 주파수 응답특성과 관련된 파라미터에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

좌측 BJT 전압분배 바이어스 회로를 우측과 같이 테브난 등가회로를 적용하여 해석하고자 할 때, 테브난 등가전압 $V_{\mathrm{TH}}$ [V]와 테브난 등가저항 $R_{\mathrm{TH}}$ [kΩ]는? (단, $V_{\mathrm{CC}}$ ＝ 20 [V], $R_1$ ＝ 4 [kΩ], $R_2$ ＝ 1 [kΩ], $R_{\mathrm{C}}$ ＝ 4.7 [kΩ], $R_{\mathrm{E}}$ ＝ 1.1 [kΩ])

$\underline{V_{\mathrm{TH}}}$ $\underline{R_{\mathrm{TH}}}$

다음 회로의 입출력 전달특성으로 옳은 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압강하는 $V_{\mathrm{D}}$ [V]이고 저항 성분은 무시한다)

10진수 －3을 10비트 2의 보수 형태로 표현하면?

FET의 드레인전류 $I_{\mathrm{D}}$와 게이트－소스 간 전압 $V_{\mathrm{GS}}$의 전달특성곡선과 부하선이 다음과 같은 회로는?

다음 정류회로에서 $V_{(\sec )}$가 $\frac{20}{\sqrt{2}}$ [$V_{\mathrm{r}\mathrm{ms}}$]이고 부하저항 $R_{\mathrm{L}}$이 2 [kΩ]일 때, 최대출력전류 $I_{\mathrm{p}(\mathrm{out})}$ [mA]은? (단, 다이오드의 순방향 전압강하는 0.7 [V]이고 저항 성분은 무시한다)

다음 NPN BJT 증폭회로에서 직류 전류이득이 ${\beta }_{\mathrm{DC}}$ ＝ 100, ${\beta }_{\mathrm{DC}}$ ＝ 200일 때, $V_{\mathrm{CE}}$ [V]는? (단, $V_{\mathrm{CC}}$ ＝ 15 [V], $R_{\mathrm{B}}$ ＝ 286 [kΩ], $R_{\mathrm{C}}$ ＝ 1 [kΩ], 다이오드의 순방향 전압강하는 0.7 [V]이고 저항성분은 무시한다)

${\beta }_{\mathrm{DC}}$ ＝ 100 ${\beta }_{\mathrm{DC}}$ ＝ 200

2단 증폭기에서 1단은 1 [kHz]의 하한 임계 주파수와 100 [kHz]의 상한 임계 주파수를 갖고, 2단은 3 [kHz]의 하한 임계 주파수와 250 [kHz]의 상한 임계 주파수를 가질 때, 전체 대역폭[kHz]은?

귀환 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 다단 증폭기의 전압이득 $\frac{V_{\mathrm{out}}}{V_{\mathrm{in}}}$은? (단, $R_{\mathrm{f}}$ ＝ 470 [kΩ], $R_1$ ＝ 4.7 [kΩ], $R_2$ ＝ $R_3$ ＝ 47 [kΩ], 연산증폭기는 이상적이다)

TCP/IP 프로토콜에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 비반전 슈미트 트리거(schmit trigger) 회로에서 하측문턱전압 $V_{\mathrm{TL}}$ [V]과 상측문턱전압 $V_{\mathrm{TH}}$ [V]는? (단, $R_1$ ＝ 25 [kΩ], $R_2$ ＝ 50 [kΩ], $V_{\mathrm{R}}$ ＝ 1 [V], 음의포화전압 $V_{\mathrm{L}}$ ＝ －4 [V], 양의포화전압 $V_{\mathrm{H}}$ ＝ 4 [V], 연산증폭기는 이상적이다)

$\underline{V_{\mathrm{TL}}}$ $\underline{V_{\mathrm{TH}}}$

다음 카르노 맵(Karnaugh map)과 일치하는 논리식은?