[9급 국가직 전자공학개론 2026년 13번]

다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스－드레인 사이의 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내장된 내부 다이오드이다)

1. ①턴오프 상태일 때는 내부 다이오드로 전류가 흐를 수 없다.
2. ②드레인($\mathrm{D}$), 소스($\mathrm{S}$), 게이트($\mathrm{G}$)의 3단자로 이루어진 반도체 스위칭 소자이다.
3. ③내부 다이오드의 역회복시간(reverse recovery time)이 상대적으로 느리기 때문에 고속 스위칭 회로에는 외부에 고속 다이오드를 추가한다.
4. ④게이트－소스 전압 $v_{GS}$에 문턱전압(threshold voltage)보다 큰 양의 전압을 인가하면 드레인과 소스 사이는 턴온 상태로 전류 $i_{\mathrm{D}}$가 흐르게 된다.

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)