9급 국가직 전자공학개론 2026년 기출문제

시행 2026-04-04 · 책형 가 · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기2026 9급 국가직 전과목
1.
다음 중 작은 저항값을 갖는 부하를 구동하기 위한 전압버퍼로 사용하기에 가장 적절한 증폭기는?
전자공학개론
  1. ①캐스코드증폭기
  2. ②공통컬렉터증폭기
  3. ③공통이미터증폭기
  4. ④공통베이스증폭기
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2.
10진수 -15를 8비트 2의 보수 형태로 표현하면?
전자공학개론
  1. ①11110000
  2. ②11110001
  3. ③11110010
  4. ④11110011
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3.
OSI(open system interconnection) 계층 중 송신 프로세스와 수신 프로세스를 서로 연결하는 기능을 수행하는 것으로서, 프로세스를 구분하기 위해 포트 번호를 부여하는 계층은?
전자공학개론
  1. ①세션(session) 계층
  2. ②전송(transport) 계층
  3. ③네트워크(network) 계층
  4. ④데이터링크(data link) 계층
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4.
FM 송신단에 사용되는 프리엠퍼시스(pre-emphasis) 필터와 FM 수신단에 사용되는 디엠퍼시스(de-emphasis) 필터를 바르게 연결한 것은?
프리엠퍼시스 디엠퍼시스
전자공학개론
  1. ①고역통과필터 저역통과필터
  2. ②고역통과필터 고역통과필터
  3. ③저역통과필터 저역통과필터
  4. ④저역통과필터 고역통과필터
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5.
다음 (가) 입력 을 (나) 회로에 인가했을 때, 출력 전압 의 최댓값과 최솟값의 합[V]은? (단, 다이오드는 이상적이다)
전자공학개론
  1. ①-8
  2. ②-5
  3. ③5
  4. ④8
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6.
다음 진리표를 갖는 출력 의 논리식은? (단, ×는 무관항이다)
0
0
0
0
×
0
0
0
1
1
0
0
1
0
×
0
0
1
1
1
0
1
0
0
×
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
×
1
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
1
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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7.
다음 회로에서 스위치가 오랜 시간 동안 열린 상태에 있다가 = 0 [s]일 때 닫힌다면 [A], [V], [A]는?
전자공학개론
  1. ①-8 0 6
  2. ②-8 6 0
  3. ③8 0 6
  4. ④8 6 0
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8.
반도체 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
전자공학개론
  1. ①순방향 바이어스에서는 주로 확산(diffusion)에 의해서 전류가 흐른다.
  2. ②동작 온도가 올라가면 역방향 바이어스 영역의 동일 전압에서 흐르는 전류 절댓값이 커진다.
  3. ③GaAs 화합물 다이오드는 Si 다이오드보다 전하이동도가 우수하여 고속 동작에 주로 이용된다.
  4. ④제너 다이오드는 순방향 바이어스 영역의 항복현상을 이용하여 전원 안정화 회로에 사용된다.
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9.
다음 증폭기 회로의 전압이득 에 비례하는 것으로 옳은 것만을 모두 고르면? (단, 는 이상적인 정전류원이고 = , BJT 은 활성영역에서 동작한다)
ㄱ. 저항
ㄴ. 의 이미터 면적
ㄷ. 바이어스 전류
ㄹ. 바이어스 전압
전자공학개론
  1. ①ㄱ, ㄴ
  2. ②ㄱ, ㄷ
  3. ③ㄴ, ㄹ
  4. ④ㄷ, ㄹ
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10.
다음 4 × 1 멀티플렉서에서 출력 의 논리식은? (단, 데이터선택 입력의 순서는 다음과 같다)
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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11.
다음 회로에서 에 흐르는 전류 [A]는?
전자공학개론
  1. ①1
  2. ②2
  3. ③3
  4. ④4
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12.
MOSFET과 BJT의 특징으로 옳은 것만을 모두 고르면?
ㄱ. MOSFET은 BJT보다 전력 소모가 크다.
ㄴ. MOSFET은 전계효과로 전류가 제어된다.
ㄷ. MOSFET은 게이트 단자가 절연되어 있다.
ㄹ. MOSFET와 BJT 모두 전자와 정공 두 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다.
전자공학개론
  1. ①ㄱ, ㄴ
  2. ②ㄱ, ㄹ
  3. ③ㄴ, ㄷ
  4. ④ㄷ, ㄹ
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13.
다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스-드레인 사이의 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내장된 내부 다이오드이다)
전자공학개론
  1. ①턴오프 상태일 때는 내부 다이오드로 전류가 흐를 수 없다.
  2. ②드레인(), 소스(), 게이트()의 3단자로 이루어진 반도체 스위칭 소자이다.
  3. ③내부 다이오드의 역회복시간(reverse recovery time)이 상대적으로 느리기 때문에 고속 스위칭 회로에는 외부에 고속 다이오드를 추가한다.
  4. ④게이트-소스 전압 에 문턱전압(threshold voltage)보다 큰 양의 전압을 인가하면 드레인과 소스 사이는 턴온 상태로 전류 가 흐르게 된다.
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14.
다음 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 발진기의 전압이득은 , 귀환 계수는 이다)
전자공학개론
  1. ①이다.
  2. ②콜피츠발진기 회로이다.
  3. ③일 때 발진이 시작된다.
  4. ④발진주파수 = [Hz]이다.
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15.
다음 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기의 개방루프이득은 1,000이고 차단주파수는 1 [kHz]이다)
전자공학개론
  1. ①반전증폭기 회로이다.
  2. ②전압이득 은 약 2이다.
  3. ③대역폭(bandwidth)은 약 330 [kHz]이다.
  4. ④단위이득주파수(unit-gain frequency)는 약 2 [MHz]이다.
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16.
다음 (가) D-래치 2개를 연결한 마스터-슬레이브 회로에서 와 의 파형이 (나)와 같을 때, 의 파형으로 옳은 것은? (단, 이전에 = ‘HIGH’ 였으며 D-래치와 인버터의 지연은 없다)
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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17.
다음 MOSFET 증폭기 회로의 전압이득 은? (단, MOSFET의 전달컨덕턴스 = 1 [mA/V], = , 교류 출력저항 = 이다)
전자공학개론
  1. ①1
  2. ②2.5
  3. ③5
  4. ④7.5
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18.
다음 차동증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 는 이상적인 정전류원이고, 트랜지스터 과 는 활성영역에서 동작하고, 공통모드이득은 매우 작은 값으로 일정하다고 가정한다)
전자공학개론
  1. ①가 증가할 때 차동모드이득의 절댓값이 감소한다.
  2. ②가 증가할 때 공통모드제거비(CMRR)가 감소한다.
  3. ③가 증가할 때 차동모드이득의 절댓값이 증가한다.
  4. ④가 증가할 때 직류 출력전압 과 가 증가한다.
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19.
다음 3단 귀환 RC 회로와 전압이득이 인 증폭기로 구성된 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 는 양수이다)
전자공학개론
  1. ①위상편이발진기 회로이다.
  2. ②발진주파수 [Hz]이다.
  3. ③발진주파수에서 3단 귀환 RC 회로의 귀환계수 이다.
  4. ④3단 귀환 RC 회로의 전체 위상편이가 180 °가 되는 경우에 발진 조건을 만족한다.
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20.
다음 (가) 2차 대역통과필터의 전달함수에 대응하는 (나) 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)
전자공학개론
  1. ①양호도(quality factor) 이다.
  2. ②중심 각주파수 [rad/s]이다.
  3. ③중심 각주파수에서 전압이득 이다.
  4. ④대역폭(bandwidth) [Hz]이다.
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