[9급 국가직 전자공학개론 2022년 18번]

N 채널 MOSFET의 포화영역에서의 전류－전압 특성($I-V$ characteristics)은 $I_{\mathrm{D}}=\frac{1}{2}{k}_{\mathrm{n}}(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{tn}}{)}^2$일 때, 포화영역에서 N 채널 MOSFET의 소신호 등가회로의 전달컨덕턴스(transconductance) $g_{\mathrm{m}}$은? (단, $k_{\mathrm{n}}$은 전달컨덕턴스 파라미터, $V_{\mathrm{tn}}$은 문턱전압이다)