증가형 n－채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.
- ②채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
- ③채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.
- ④드레인－소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.
선지를 골라 바로 채점해 보세요.
정답 ②
출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)
[9급 국가직 전자공학개론 2018년 14번]
전자공학개론
신고가 접수됐습니다. 감사합니다.