[9급 국가직 전자공학개론 2018년 19번]

다음 MOSFET 공통소스 증폭기 회로에서 M₁이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, M₁의 전달컨덕턴스 g_m ＝ 200 [mS], 소신호 출력저항 r_o ＝ 10 [kΩ]이고 R_D ＝ 10 [kΩ]이다)

1. ①M₁의 드레인－소스 전압 V_DS는 V_OV(＝ V_GS － V_t, V_t는 문턱전압)보다 작다.
2. ②증폭기 출력저항 R_out ＝ 10 [kΩ]이다.
3. ③M₁의 얼리전압(Early voltage) V_A ＝ 20 [V]이라면 드레인전류 I_D ＝ 2 [mA]이다.
4. ④증폭기 전압이득 A_v ＝ 30 [dB]이다.

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