[9급 국가직 전자공학개론 2017년 17번]

1. ①게이트 산화막의 두께를 줄인다.
2. ②소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다.
3. ③유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.
4. ④실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)