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9급 국가직 전자공학개론 2017년 기출문제

시행 2017-04-08 · 책형 나 · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기2017 9급 국가직 전과목
1.
다음 회로 중에서 출력 Z가 1이 되는 회로는? (단, X ＝ 0, Y ＝ 1이다)
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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2.
입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력했을 때, 출력 신호의 전력[W]은?
전자공학개론
  1. ①0.74
  2. ②0.94
  3. ③7.4
  4. ④9.4
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정답 ② · 해설 보기

3.
다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 Vo 사이의 관계식은? (단, op-amp는 이상적이다)
전자공학개론
  1. ①Vo ＝ 3 V1 － 2 V2
  2. ②Vo ＝ 2 V1 － 3 V2
  3. ③
    Vo ＝ V1 － 23 V2
  4. ④
    Vo ＝ 23 V1 － V2
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정답 ① · 해설 보기

4.
다음 증폭기 회로에서 C2가 추가됨에 따라 생기는 변화는?
전자공학개론
  1. ①출력 Vo의 DC 전압이 내려간다.
  2. ②출력 Vo의 DC 전압이 올라간다.
  3. ③중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 감소한다.
  4. ④중간 주파수 영역에서 전압이득의 크기가 증가한다.
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5.
다음 DTL(Diode-Transistor Logic)로 설계된 디지털 회로는 어떤 논리 게이트인가? (단, 입력 X, Y의 논리레벨 1은 VCC ＝ 5 V, 논리레벨 0은 0 V이다)
전자공학개론
  1. ①AND
  2. ②OR
  3. ③NAND
  4. ④NOR
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6.
드레인 전류(ID)와 게이트－소스 전압(VGS)의 관계식이 ID ＝ 9 ＋ 19(VGS － 1) ＋ 10(VGS － 1)2 [mA]인 N형 MOSFET에서 VGS ＝ 1 [V]일 때, 소신호 모델 전달컨덕턴스(transconductance)[mA/V]는?
전자공학개론
  1. ①9
  2. ②10
  3. ③19
  4. ④29
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7.
다음 회로에 입력전압이 Vi일 때 출력전압 Vo는? (단, 다이오드와 제너다이오드는 이상적이다)
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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8.
다음 중 대역통과필터 특성을 보이는 회로로만 묶은 것은?
ㄱ.
ㄴ.
ㄷ.
ㄹ.
전자공학개론
  1. ①ㄱ, ㄷ
  2. ②ㄱ, ㄹ
  3. ③ㄴ, ㄷ
  4. ④ㄴ, ㄹ
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9.
공진주파수가 fo인 R, L, C 직렬회로에 주파수가 2 fo인 입력신호를 인가하였을 때, 총 리액턴스 성분의 크기가 저항 R 값의 15배가 된다. 이 회로의 Qo(quality factor)는?
전자공학개론
  1. ①5
  2. ②10
  3. ③15
  4. ④20
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10.
입력 전압 36 [V]에 연결된 발열선의 발열량이 1 [kW]이다. 동일한 재료로 단면의 지름을 두 배로 늘리고, 길이를 반으로 줄여 만든 발열선에 동일한 전압을 인가했을 때, 발열량[kW]은?
전자공학개론
  1. ①4
  2. ②6
  3. ③8
  4. ④10
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11.
논리식 F(W, X, Y) ＝ WXY ＋ WX ＋ WXY에 대한 진리표는?
전자공학개론
  1. ①
    W
    X
    Y
    F
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    1
    0
    0
    1
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    1
    1
  2. ②
    W
    X
    Y
    F
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    1
    1
  3. ③
    W
    X
    Y
    F
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    0
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    1
    1
  4. ④
    W
    X
    Y
    F
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    0
    1
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    0
    1
    0
    1
    1
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    1
    1
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정답 ① · 해설 보기

12.
다음 D 플립플롭에서 출력 Q의 동작은? (단, D 플립플롭은 하강에지에서 동작하고 Q의 초기값은 0이다)
전자공학개론
  1. ①①
  2. ②②
  3. ③③
  4. ④④
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정답 ① · 해설 보기

13.
무선 통신에서 전송하고자 하는 신호를 변조하는 이유로 옳은 것만을 모두 고른 것은?
ㄱ. 안테나의 길이를 축소할 수 있다.
ㄴ. 채널에 유입되는 잡음을 줄일 수 있다.
ㄷ. 다중 통신이 가능하다.
ㄹ. 주파수 효율을 높일 수 있다.
전자공학개론
  1. ①ㄴ, ㄷ
  2. ②ㄱ, ㄴ, ㄷ
  3. ③ㄱ, ㄷ, ㄹ
  4. ④ㄱ, ㄴ, ㄷ, ㄹ
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14.
다음 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
전자공학개론
  1. ①선형 및 포화영역 동작에서 전류 반송자는 전자이다.
  2. ②선형 및 포화영역 동작은 전류 반송자의 드리프트(drift) 현상에 의한다.
  3. ③P채널 증가형 MOSFET이다.
  4. ④CMOS 집적회로에 사용되는 소자이다.
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정답 ① · 해설 보기

15.
PCM(Pulse Code Modulation) 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
전자공학개론
  1. ①샘플링된 신호에 이산적인 값을 할당하는 양자화와 펄스 부호로 변환하는 부호화가 필요하다.
  2. ②양자화 레벨 수가 증가하면 양자화 오차가 늘어난다.
  3. ③디지털전송신호 방식으로 원거리통신에 중계기의 사용이 가능하다.
  4. ④아날로그 방식보다 잡음 및 왜곡의 영향에 강한 장점이 있다.
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정답 ② · 해설 보기

16.
다음은 비안정 모드로 동작하는 555 타이머 회로이다. 출력신호 Vo에 대한 듀티 사이클(duty cycle)[%]은?
전자공학개론
  1. ①60
  2. ②65
  3. ③70
  4. ④75
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17.
실리콘 기반의 N채널 증가형 MOSFET 구동 시에 더 많은 드레인 전류 값을 얻는 방법은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작한다)
전자공학개론
  1. ①게이트 산화막의 두께를 줄인다.
  2. ②소스와 드레인 전극의 간격을 길게 한다.
  3. ③유전율이 낮은 게이트 산화막으로 교체한다.
  4. ④실리콘을 전자 이동도가 낮은 물질로 대체한다.
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정답 ① · 해설 보기

18.
다음 회로는 연산증폭기를 이용한 정전압조정기이다. 출력전압 Vo [V]는?
전자공학개론
  1. ①2.5
  2. ②4.7
  3. ③5
  4. ④8
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정답 ③ · 해설 보기

19.
다음 바이어스 회로의 동작점에서 컬렉터 전류 ICQ [mA]는? (단, VBE ＝ 0.7 [V]이다)
전자공학개론
  1. ①2
  2. ②5
  3. ③10
  4. ④15
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정답 ③ · 해설 보기

20.
다음 회로의 주파수 전달함수(Transfer Function) 는?
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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