[9급 국가직 전자공학개론 2013년 11번]

1. ①MOSFET은 이미터, 베이스, 컬렉터의 3개의 단자를 갖는다.
2. ②$n$채널 MOSFET은 $n$형 기판에 형성된다.
3. ③BJT는 MOSFET에 비해 작게 만들 수 있어 초고집적회로(VLSI)에 유리하다.
4. ④BJT는 두 개의 PN 접합으로 구성된다.

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)