[9급 국가직 전자공학개론 2012년 12번]

N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
전자공학개론
  1. ①MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.
  2. ②MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.
  3. ③MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인-소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.
  4. ④MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스-바디(source -body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.

선지를 골라 바로 채점해 보세요.

정답 ②

출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

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