9급 국가직 전자공학개론 2012년 기출문제

시행 2012-04-07 · 책형 인 · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기2012 9급 국가직 전과목
1.
QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
전자공학개론
  1. ①ASK 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.
  2. ②FSK 방식의 일종이다.
  3. ③ASK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.
  4. ④FSK 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.
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2.
다음 발진기의 명칭은?
전자공학개론
  1. ①클랩 발진기
  2. ②콜핏츠 발진기
  3. ③하틀리 발진기
  4. ④이완 발진기
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정답 ① · 해설 보기

3.
다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근접한 것은? (단, VBE = 0.7 V, IC ≃ IE 이다)
전자공학개론
  1. ①4
  2. ②5
  3. ③6
  4. ④7
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4.
다음 회로에서 출력전압 VO값 [V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)
전자공학개론
  1. ①0
  2. ②5
  3. ③-10
  4. ④15
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5.
다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키는데 가장 적합한 회로는?
전자공학개론
  1. ①부츠트랩 회로
  2. ②블로킹 발진기
  3. ③슈미트 트리거
  4. ④LC동조회로
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6.
다음 회로에서 입력전압 V2가 -1 V 일 때, 출력전압 VO값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)
전자공학개론
  1. ①-2
  2. ②-4
  3. ③2
  4. ④4
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7.
D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→"H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L" 이며, IN에 입력되는 논리값 시간 간격은 CLK 신호 주기와 같다고 가정한다)
전자공학개론
  1. ①"L" → "H" → "L" → "L" → "H" → "L"
  2. ②"L" → "L" → "H" → "H" → "L" → "L"
  3. ③"H" → "H" → "L" → "L" → "H" → "H"
  4. ④"L" → "L" → "L" → "L" → "H" → "L"
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8.
다음 회로에서 출력전압 Vo 값 [V]은? (단, RA = 4 KΩ, RB = 8 KΩ 이다)
전자공학개론
  1. ①4
  2. ②8
  3. ③10
  4. ④12
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9.
다음 회로의 출력전압 Vo 값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)
전자공학개론
  1. ①-VREF/2
  2. ②-VREF
  3. ③-2 VREF
  4. ④-4 VREF
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10.
다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스-콜렉터간 전압값(VBC)이 -6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값 [KΩ]은? (단, BJT의 β = 100, VBE = 0.7 V, RB = 200 KΩ, C1 = C2 = 10 μF, VCC = 10.7 V 이다)
전자공학개론
  1. ①0.8
  2. ②1.2
  3. ③3.3
  4. ④3.5
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11.
다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식은?
AB
CD
00
01
11
10
00
1
0
0
1
01
1
1
1
0
11
0
1
1
0
10
1
0
0
1
전자공학개론
  1. ①A'B'C' + ABD + B'CD'
  2. ②A'B'C' + BD + B'D'
  3. ③A'B'C'D + A'BD + B'D'
  4. ④A'B'C'D + AB'D' + BD
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12.
N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
전자공학개론
  1. ①MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.
  2. ②MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.
  3. ③MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인-소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.
  4. ④MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스-바디(source -body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.
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13.
테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH) [V]과 테브난 저항(RTH) 값 [KΩ]은?
VTH RTH
전자공학개론
  1. ①2.5 20/3
  2. ②2.5 10
  3. ③5 20/3
  4. ④5 10
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14.
면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?
전자공학개론
  1. ①두 금속판 사이의 거리()를 2배로 늘려준다.
  2. ②두 금속판의 면적(A)을 2배로 늘려준다.
  3. ③두 금속판 사이에 유전율()이 1/2인 물질로 채운다.
  4. ④두 금속판의 면적과 두 판 사이의 거리를 동시에 2배로 늘려준다.
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15.
펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24-레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트율 [Kbps]은?
전자공학개론
  1. ①32
  2. ②9.6
  3. ③64
  4. ④50
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16.
다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10 V일 때, 20 KΩ에 흐르는 전류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)
전자공학개론
  1. ①0.05
  2. ②0.1
  3. ③0.5
  4. ④1
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17.
다음 CMOS 회로는 입력단자 A, B, C, D에 5 V(로직레벨 'H') 혹은 0 V(로직레벨 'L')의 전압이 인가되도록 구성하였다. 이 회로와 동일한 논리함수를 갖는 논리게이트는?
전자공학개론
  1. ①
  2. ②
  3. ③
  4. ④
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18.
논리식 (A + B)(A + B')(A' + B)(A' + B')을 간단히 한 결과는?
전자공학개론
  1. ①AB' + A'B
  2. ②AB + A'B'
  3. ③0
  4. ④1
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19.
발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶인 것은?
ㄱ. 발광다이오드는 금속-반도체 접합으로써, 금속으로는 몰리브텐, 백금 등이 사용되고 반도체로는 실리콘, 갈륨비소 등이 사용된다.
ㄴ. 발광다이오드도 pn 접합 소자의 일종으로 역방향으로 바이어스 될 때 실리콘 반도체 내 접합 부근에서 정공과 전자가 재결합하여 빛 에너지가 발산하게 된다.
ㄷ. 발광다이오드는 빛을 전기적신호로 변환하는 포토다이오드와 반대되는 기능을 한다.
ㄹ. 발광되는 빛은 정공과 전자의 재결합 양에 따라서 비례하고 재결합되는 양은 다이오드의 순방향 전류에 비례한다.
전자공학개론
  1. ①ㄱ, ㄴ
  2. ②ㄴ, ㄷ
  3. ③ㄷ, ㄹ
  4. ④ㄱ, ㄷ
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20.
다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다)
m R
전자공학개론
  1. ①0.8
  2. ②1.6
  3. ③0.8
  4. ④1.6
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