[9급 국가직 전자공학개론 2011년 14번]

MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source간의 전압차($V_{GS}$), 온도 등 모든 조건을 일정하게 유지하고 트랜지스터의 채널 length만 2배 크게 하였을 때, 트랜지스터에 흐르는 전류 절대량 $\left|I_{DS}\right|$의 변화로서 옳은 것은? (단, channel length modulation 효과는 무시하며, MOS 트랜지스터는 차단영역에 있지 않다고 가정한다)