CMOS 공정기술이 발전하면서 MOSFET의 채널길이와 이산화규소(SiO2)층의 두께가 계속 줄어들고 있다. 이에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ①MOSFET의 게이트 항복전압이 커진다.
- ②메모리소자의 집적도 증가와는 상관이 없다.
- ③MOSFET의 동작주파수가 증가하여 초고주파 증폭회로에 유리하다.
- ④MOSFET의 단채널효과(short channel effect)가 줄어든다.
선지를 골라 바로 채점해 보세요.
정답 ③
출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)