7급 국가직 전자회로 2013년 기출문제

입력신호와 출력신호의 위상이 180˚ 다른 증폭기는?

FET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

R ＝ 10 kΩ, L ＝ 0.1 mH, C ＝ 0.01 $\mu$F인 병렬공진 회로에서 Q값은?

다음 그림은 위상동기루프(Phase Locked Loop, PLL)를 이용한 주파수 발생기 회로이다. ㉠ 부분의 명칭과 f_o의 값으로 옳은 것은?

㉠ f_o

그림과 같은 공통 이미터(common emitter) 증폭기에서 컬렉터(collector) 전압(V_C)[V] 값으로 가장 가까운 것은? (단, β ＝ 99, V_BE ＝ 0.7 V이다)

다음의 전력증폭기 회로에서 D₁과 D₂의 특성이 Q₁과 Q₂의 베이스-이미터 접합부의 특성과 일치할 때, 베이스 전압 V_B1[V], V_B2[V]와 이미터 전압 V_E[V]를 각각 구한 것은? (단, R₁ ＝ R₂, C₁ ＝ C₂, V_BE1 ＝ V_EB2 ＝ 0.7 V이다)

V_B1 V_B2 V_E

CMOS 공정기술이 발전하면서 MOSFET의 채널길이와 이산화규소(SiO₂)층의 두께가 계속 줄어들고 있다. 이에 대한 설명으로 옳은 것은?

연산증폭기의 개루프 이득이 100 dB이고 단위이득 대역폭이 3 MHz인 경우 다음 증폭기 회로의 대역폭[kHz]은?

다음 윈브리지 발진기 회로에서 발진주파수[kHz]와 자기시동조건을 만족하는 저항 R₂[kΩ]는?

발진주파수 R₂

다음 회로에 알맞은 입출력 파형은?

다음의 브릿지 정류회로에서 각 다이오드의 양단에 걸리는 최대 역전압[V]은? (단, Si 다이오드로 구성되어 있으며 전압강하는 0.7 V이다)

다음 논리식을 간단히 한 것으로 옳은 것은?

$f=$($\mathrm{A}+\mathrm{B}$)($\mathrm{A}+\overline{\mathrm{B}}$)($\overline{\mathrm{A}}+\mathrm{B}$)($\overline{\mathrm{A}}+\overline{\mathrm{B}}$)

다음 카르노맵에 대한 논리식은?

AB CD	00	01	11	10
00	0	1	1	0
01	1	0	0	1
11	0	0	0	0
10	0	1	1	0

다음 회로의 입력전압(V_IN)과 출력전압(V_OUT)의 관계로 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

다음 회로의 입력전압(V_in)에 대한 출력전압(V_out)의 관계로 옳은 것은?

다음 논리회로의 출력식으로 옳은 것은?

다음 회로는 R/2R 사다리(ladder)형 D/A(Digital to Analog) 변환기이다. 이 변환기의 출력전압(V_OUT)[V] 값은?

다음 회로에서 트랜지스터가 포화상태를 유지하기 위한 베이스 저항(R_B)[kΩ]의 최대값에 가장 근접한 것은? (단, β ＝ 100, V_BE ＝ 0.7 V, V_CE(sat)는 무시한다)

다음의 검파회로에서 입력반송파 주파수는 50 MHz, 부하저항(R_L)은 10 kΩ이다. 이 때 시상수가 반송파 주기의 8배가 되기 위한 C[pF]값은?

다음 Multiple-feedback 회로에 대한 설명으로 옳은 것을 모두 고르면? (단, C₁ ＝ C₂, R₁ ＜ R₂ 이다)

ㄱ. R₁과 C₁의 관계는 high-pass filter이다.

ㄴ. R₂와 C₂의 관계는 low-pass filter이다.

ㄷ. 전체 회로는 band-pass filter이다.

ㄹ. 전체 회로는 band-stop filter이다.