p형 Si 반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①다수 캐리어가 정공이다.
- ②불순물 도핑 농도가 높을수록 저항률이 증가한다.
- ③순수한 Si에 최외각 전자가 3개인 불순물을 첨가한다.
- ④페르미준위는 진성반도체보다 가전자대역의 최고 에너지준위에 더 가깝게 위치한다.
선지를 골라 바로 채점해 보세요.
정답 ②
출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)
[7급 국가직 전자회로 2023년 13번]
전자회로
신고가 접수됐습니다. 감사합니다.