7급 국가직 전자회로 2023년 기출문제

시행 2023-09-23 · 책형 가 · 25문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2023 7급 국가직 전과목

다음 회로에서 V_DD ＝ 12 [V], R_g ＝ 1 [MΩ], V_GS ＝ 4 [V], I_DS ＝ 0.5 [mA]일 경우, R_L[kΩ]은? (단, R_g에 전류가 흐르지 않는다고 가정한다)

전자회로

①4
②8
③16
④24

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정답 ③ · 해설 보기

다음 검파회로에서 입력된 반송파의 주파수가 10 [kHz]일 때, 회로의 시정수는 반송파 주기의 몇 배인가? (단, 다이오드는 이상적이다)

전자회로

①3
②15
③20
④30

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정답 ① · 해설 보기

다음 공진회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①공진 주파수 $f_{o} = \frac{1}{2 π LC}$ 이다.
②공진 주파수일 때, 입력 임피던스 Z_i는 R이다.
③양호도(Quality factor, Q)는 R에 반비례한다.
④양호도는 L에 반비례한다.

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다음 회로와 같은 동작을 하는 출력 Y의 논리식은? (단, R₂

≫

R₁, 입력 A, B, C에 0 [V] 또는 5 [V]가 인가되며, 다이오드는 이상적이다)

전자회로

① $A + BC$
② $A + BC$
③ $A (B + C)$
④ $A (B + C)$

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다음 회로에서 입력 A, B에 논리값 ‘0’과 ‘1’에 해당하는 0 [V] 또는 5 [V]를 인가할 때, 출력 F의 논리값 중 (가)와 (다)에 들어갈 값은? (단, 입력 A, B에 0 [V] 또는 5 [V]를 인가할 때, 트랜지스터 Q₁, Q₂, Q₃는 차단 또는 포화영역에서만 동작하도록 저항값을 설계하였다)

(가) (다)

전자회로

①0 0
②0 1
③1 0
④1 1

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그림 (a) 회로에 (b)의 입력 V_i가 인가될 때, 최대 양(＋)의 출력전압 V_o[V]에 가장 가까운 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

전자회로

①1.92
②2.62
③19.3
④20

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정답 ② · 해설 보기

다음 회로에서 출력전압 V_o[V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①4
②8
③10
④12

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다음 회로에서 전달함수

\frac{V _{o} ( s )}{V _{i} ( s )}

는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

① $\frac{- R _{2} C _{1}}{( 1 + \frac{s}{R _{1} C _{1}} ) ( 1 + \frac{s}{R _{2} C _{2}} )}$
② $\frac{- s R _{1} C _{2}}{( 1 + \frac{s}{R _{1} C _{1}} ) ( 1 + \frac{s}{R _{2} C _{2}} )}$
③ $\frac{- R _{1} C _{2}}{( 1 + s R _{1} C _{1} ) ( 1 + s R _{2} C _{2} )}$
④ $\frac{- s R _{2} C _{1}}{( 1 + s R _{1} C _{1} ) ( 1 + s R _{2} C _{2} )}$

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다음 회로에서 공진 각주파수[rad/s]는?

전자회로

①1
②2
③3
④4

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10.

다음 회로에서 입력 V₁, V₂, V₃에 대한 출력 V_o의 관계식은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자회로

①2V₁ ＋ 2V₂ ＋ V₃
②3V₁ － 3V₂ ＋ V₃
③4V₁ － 4V₂ ＋ V₃
④4V₁ － 4V₂ ＋ 2V₃

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11.

그림에서 Block의 전체 전압이득[dB]은?

전자회로

①10
②20
③40
④100

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12.

그림 (a)의 두 개의 T 플립플롭 회로에서 Q의 초기 논리값은 ‘0’에서 시작한다. 그림 (b)와 같이 클럭 CLK와 입력 T가 주어질 때, 구간 T3 － T4에서 출력 Q1, Q2의 논리값은? (단, 각 논리 게이트에서 지연은 없다)

Q1 Q2

전자회로

①0 0
②0 1
③1 0
④1 1

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13.

p형 Si 반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①다수 캐리어가 정공이다.
②불순물 도핑 농도가 높을수록 저항률이 증가한다.
③순수한 Si에 최외각 전자가 3개인 불순물을 첨가한다.
④페르미준위는 진성반도체보다 가전자대역의 최고 에너지준위에 더 가깝게 위치한다.

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14.

다음 회로에서 소신호 전압이득의 크기

\frac{V _{o}}{V _{i}}

를 증가시키는 방법으로 옳은 것은? (단, 트랜지스터 Q는 활성영역에서 동작하고, 교류 출력 저항

r_{o} = \infty

, 교류 이미터 저항은 r_e이다)

전자회로

①r_e를 증가시킨다.
②R_B를 증가시킨다.
③R_C를 증가시킨다.
④R_E를 증가시킨다.

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15.

다음 회로에서 전압이득

\frac{V _{o}}{V _{i}}

에 가장 가까운 것은? (단, 연산증폭기의 전압이득 A ＝ 3, R₂ ＝ 3R₁이다)

전자회로

① $\frac{4}{13}$
② $\frac{9}{13}$
③ $\frac{12}{13}$
④ $\frac{15}{13}$

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16.

다음 회로에서 컬렉터－이미터 전압 V_CE[V]에 가장 가까운 것은? (단, V_BE ＝ 0.7 [V]이며, 컬렉터전류는 이미터전류와 같다)

전자회로

①3.24
②4.94
③6.04
④10.0

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17.

다음 회로에서 부하저항 R이 10 [Ω]이고, 입력 전원전압의 실횻값 V_s가 220 [V], 60 [Hz]일 때, 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이다)

전자회로

①출력전류 I_o의 실횻값은 $\frac{220}{10}$ [A]이다.
②출력전압 V_o의 평균값은 $\frac{2 \times 220}{π}$ [V]이다.
③출력전압 V_o의 주파수는 120 [Hz]이다.
④다이오드 D₁에 걸리는 역방향 최대전압은 $2 \times 220$ [V]이다.

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18.

다음 회로에서 입력 V_i가 인가될 때, 구간 0 － t₁에서 교류 출력전압 V_o의 피크값[V]에 가장 가까운 것은? (단, V_BE ＝ 0.7 [V], V_T ＝ 26 [mV],

β

＝ 50,

C = \infty

, 트랜지스터 Q₁과 Q₂의 모든 특성이 동일하며, 컬렉터전류는 이미터전류와 같다)

전자회로

①5.0
②－5.0
③10.0
④－10.0

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19.

다음 회로의 등가 임피던스의 크기

∣ Z_{eq} (j ω) ∣

는?

전자회로

① $\frac{( 1 - ω ^{2} L _{1} C _{1} ) ^{2} + R _{S}^{2}}{R _{S}^{2} C _{1}^{2} ω ^{2} + ( ω L _{1} ) ^{2}}$
② $\frac{R _{S}^{2} + ( ω L _{1} ) ^{2}}{( 1 - ω ^{2} L _{1} C _{1} ) ^{2} + R _{S}^{2} C _{1}^{2} ω ^{2}}$
③ $\frac{R _{S}^{2} ( 1 + C _{1}^{2} ω ^{2} )}{( 1 - ω ^{2} L _{1} C _{1} ) ^{2} + ( ω L _{1} ) ^{2}}$
④ $\frac{( 1 - ω ^{2} L _{1} C _{1} ) ^{2} + R _{S}^{2} C _{1}^{2} ω ^{2}}{R _{S}^{2} + ( ω L _{1} ) ^{2}}$

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20.

다음 부궤환 시스템의

H (s) = \frac{A _{0}}{( 1 + \frac{s}{ω _{p1}} ) ( 1 + \frac{s}{ω _{p2}} )}

로 주어질 때, 폐루프 전달함수의 극점(

s_{1}, s_{2}

)의 값[rad/s]은? (단,

ω_{p1}

＝ 1 [rad/s],

ω_{p2}

＝ 3 [rad/s],

β A_{0} = \frac{1}{3}

이다)

s_{1}

s_{2}

전자회로

①－1 －1
②－1 －2
③－2 －1
④－2 －2

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21.

다음 회로에서 R_C[kΩ], R_E[kΩ]는? (단, I_CQ ＝ 2 [mA], V_CEQ ＝ 5.2 [V], V_E ＝ 2.4 [V]이며, 컬렉터전류와 이미터전류는 같다)

R_C R_E

전자회로

①1.2 1.2
②1.2 1.4
③1.4 1.0
④2.4 1.2

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22.

논리식

F = A ˉ B ˉ D + A ˉ B ˉ C + A ˉ C D ˉ + B ˉ C + A C + A ˉ B C D ˉ

를 아래의 논리회로로 구성할 때, (가)와 (나)의 입력은?

(가) (나)

전자회로

① $A$ $D$
② $A$ $B$
③ $B$ $D$
④ $B$ $D$

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23.

다음 전압 조정기의 R_s에 흐르는 전류 I_s[mA]는? (단, V_BE1 ＝ V_BE2 ＝ 0.7 [V], V_Z ＝ 5 [V], V_i ＝ 10 [V], R_s ＝ 2 [kΩ]이다)

전자회로

①1.0
②1.2
③1.5
④1.8

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24.

다음은 전송 게이트 ㉠, ㉡과 CMOS로 구성된 순차논리회로이다. 이 회로의 명칭은? (단, 전송 게이트 ㉠의 전송 특성은 C ＝ ‘1’(

C

＝ ‘0’)이면 입력정보가 출력에 전달되고, C ＝ ‘0’(

C

＝ ‘1’)이면 입력정보는 출력에 전달되지 못한다. 반면에 전송 게이트 ㉡은 ㉠과 반대의 전송 특성을 가진다)

전자회로

①D 플립플롭
②T 플립플롭
③JK 플립플롭
④RS 플립플롭

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25.

다음 버터워스 2차 고역통과필터회로에서 차단주파수 f_c[kHz]와 전압이득

A_{v} = \frac{V _{o}}{V _{i}}

에 가장 가까운 것은? (단, R_A ＝ R_B ＝ 1.0 [kΩ], C_A ＝ C_B ＝ 0.5 [

μ

F],

\frac{R _{1}}{R _{2}} = 0.586

이고, 연산증폭기는 이상적이다)

f_c A_v

전자회로

① $\frac{1}{π}$ 1.586
② $\frac{1}{π}$ 2.706
③ $\frac{2}{π}$ 1.586
④ $\frac{2}{π}$ 2.706

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