[7급 국가직 전자회로 2016년 7번]

다음 MOSFET 바이어스 회로에서 트랜지스터 $M_1$은 포화(saturation) 영역에서 동작한다. 문턱전압 $V_{TH}=1[V]$, 소자 공정 파라미터 $k_n\left(\frac{W}{L}\right)=1[mA/V^2]$일 때, $V_{GS}$ 전압$[V]$은? (단, $k_n$은 공정 전달컨덕턴스 파라미터(process transconductance parameter)이고, $k_n={\mu }_n{C}_{ox}$이며, channel length modulation 및 body effect는 무시한다)