[7급 국가직 전자회로 2016년 14번]

n－채널 MOSFET이 포화영역(saturation region)에서 동작할 때 $I-V$ 특성은 $I_D=\frac{1}{2}{k}_n^{}\frac{W}{L}{\left(V_{GS}-V_{TH}\right)}^2$으로 나타낼 수 있다. 이 때 MOSFET의 전달컨덕턴스(transconductance) $g_m$으로 옳은 것은? (단, $k_n$은 공정 전달컨덕턴스 파라미터이고, $k_n={\mu }_n{C}_{ox}$이다)