[7급 국가직 전자회로 2016년 20번]

$V_{DD}=5[V]$이고 MOSFET $Q_1$의 $k_n{\left(\frac{W}{L}\right)}_1=0.8[mA/V^2]$이며 문턱전압 $V_{TH}=1[V]$이고 MOSFET $Q_1$의 게이트 폭 $W_1$과 MOSFET $Q_2$의 게이트 폭 $W_2$의 비가 $\frac{W_2}{W_1}=10$일 때, $I{}_o=1[mA]$이 되도록 하는 저항 $R[k\Omega ]$은? (단, $k_n$은 공정 전달컨덕턴스 파라미터이고, $k_n={\mu }_n{C}_{ox}$이다)