[7급 국가직 전자회로 2015년 8번]

1. ①다이오드에 전류 $I_D$가 흐를 때 다이오드의 소신호 등가저항 $r_d=\frac{V_T}{I_D}$이다. 여기서 $V_T$는 열전압(thermal voltage)이다.
2. ②공통베이스 전류이득(common-base current gain) $\alpha$를 갖는 BJT에 컬렉터전류 $I_C$가 흐를 때 BJT의 입력저항 $r_{\pi }=\frac{\alpha V_T}{(1-\alpha )I_C}$이다.
3. ③공통에미터 전류이득(common-emitter current gain) $\beta$를 갖는 BJT에 컬렉터전류 $I_C$가 흐를 때 BJT의 입력저항 $r_e=\frac{\beta V_T}{(\beta +1)I_C}$이다.
4. ④베이스폭 변조효과(base-width modulation effect)에 의하여 유효 베이스폭(effective base width)이 줄어들면 BJT의 출력저항 $r_o$의 값은 커진다.

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)