7급 국가직 전자회로 2015년 기출문제

시행 2015-08-29 · 책형 3 · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2015 7급 국가직 전과목

다음 회로에서 BJT가

V_{C E}

＝ 0.3 [V]에서 동작하기 위한

R_{C} [Ω]

는? (단,

β

는 50,

V_{B E}

는 0.7 [V]로 가정한다)

전자회로

①97
②97 k
③194
④1.94 k

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①콜피츠(Colpitts) 발진기이다.
②발진주파수는 $\frac{1}{2 π L \frac{C _{1} C _{2}}{C _{1} + C _{2}}}$ [Hz]이다.
③ $A_{v}$ 가 $Q$ 로 구성된 공통에미터 증폭기의 전압이득이라면 발진조건은 $A_{v} = \frac{C _{1}}{C _{2}}$ 이다.
④회로의 $C_{1}$ 과 $C_{2}$ 를 인덕터 $L_{1}$ 과 $L_{2}$ 로, $L$ 을 커패시터 $C$ 로 바꾸면 하틀리(Hartley) 발진기로 동작한다.

정답 보기

정답 ③ · 해설 보기

다음 논리회로에서 입력이

A = 1

이고

B = 0

일 때, 출력 X 및 Y의 값은?

전자회로

①X ＝ 0, Y ＝ 1
②X ＝ 1, Y ＝ 0
③X ＝ 1, Y ＝ 1
④X ＝ 0, Y ＝ 0

정답 보기

정답 ① · 해설 보기

이상적인 다이오드를 사용한 다음 회로에서 입력파형

v_{i}

에 대한 출력 파형

v_{o}

로 옳은 것은?

전자회로

정답 보기

정답 ③ · 해설 보기

다음 회로에서 입력저항

R_{i}

로 옳은 것은?

전자회로

① $R_{i} = r_{π} + (β + 1) R_{L}$
② $R_{i} = r_{π} + β R_{L}$
③ $R_{i} = r_{π} + R_{L}$
④ $R_{i} = (β + 1) R_{L}$

정답 보기

정답 ① · 해설 보기

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

(단,

이고,

G_{m} = \frac{i _{o}}{v _{i 1} - v _{i 2}}

이다)

전자회로

①버랙터(varactor)는 인가전압에 따라서 커패시턴스 값이 바뀌는 소자이며, 이 소자를 사용하면 이 회로를 전압제어발진기(VCO)로 구현할 수 있다.
②회로의 발진주파수는 $\frac{1}{2 π L C}$ [Hz]이다.
③점선 안의 회로에서 R값이 커질수록 회로의 Q값(quality factor)은 커진다.
④ $G_{m} Z_{TANK} = - 1$ 일 때 발진 조건이 만족된다.

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

다음 카르노 맵이 표현하는 진리표를 논리회로로 구현하였을 때 옳은 것은? (단, X는 정의하지 않아도 되는 출력이다)

AB CD	00	01	11	10
00	0	0	1	0
01	0	1	X	0
11	0	X	1	0
10	0	1	0	0

전자회로

정답 보기

정답 ③ · 해설 보기

다이오드와 BJT의 소신호 등가회로(small-signal equivalent circuit)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①다이오드에 전류 $I_{D}$ 가 흐를 때 다이오드의 소신호 등가저항 $r_{d} = \frac{V _{T}}{I _{D}}$ 이다. 여기서 $V_{T}$ 는 열전압(thermal voltage)이다.
②공통베이스 전류이득(common-base current gain) $α$ 를 갖는 BJT에 컬렉터전류 $I_{C}$ 가 흐를 때 BJT의 입력저항 $r_{π} = \frac{α V _{T}}{( 1 - α ) I _{C}}$ 이다.
③공통에미터 전류이득(common-emitter current gain) $β$ 를 갖는 BJT에 컬렉터전류 $I_{C}$ 가 흐를 때 BJT의 입력저항 $r_{e} = \frac{β V _{T}}{( β + 1 ) I _{C}}$ 이다.
④베이스폭 변조효과(base-width modulation effect)에 의하여 유효 베이스폭(effective base width)이 줄어들면 BJT의 출력저항 $r_{o}$ 의 값은 커진다.

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

① $R_{TAIL}$ 을 포함한 전류원 회로는 공통모드 입력에 대해서만 부궤환(negative feedback) 역할을 한다.
②트랜지스터의 차동입력(differential input)에 대한 전압이득의 크기는 $∣ g_{m} R ∣$ 이다.
③트랜지스터 출력저항 $r_{o} ≫ R_{TAIL}$ 이면 공통모드 전압이득(common-mode voltage gain)의 크기는 근사적으로 $\frac{g _{m} R}{1 + 2 g _{m} R _{TAIL}}$ 이다.
④전류원의 출력저항인 $R_{TAIL}$ 을 감소시키면 일반적으로 잡음에 대해 영향을 덜 받게 된다.

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

10.

다음 공통소스 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단,

M

은 포화상태에 있고 채널길이 변조와 바디 효과는 없다고 가정한다)

전자회로

① $∣ A_{v} ∣ ≫ 1$ 일 때 고주파대역에서 $R_{S}$ 값이 클수록 증폭기의 입력 커패시턴스도 커진다.
② $C_{G}$ 에 의한 저주파대역에서의 극점주파수는 $\frac{1}{2 π C _{G} ( R _{sig} ∥ R _{1} ∥ R _{2} )}$ [Hz]이다.
③ $C_{S}$ 에 의한 저주파대역에서의 극점주파수는 $\frac{1}{2 π C _{S} ( R _{S} + \frac{1}{g _{m}} )}$ [Hz]이다.
④ $∣ A_{v} ∣ ≫ 1$ 일 때 고주파대역에서 $\frac{1}{2 π ( C _{d s} + C _{g d} ) ( R _{D} ∥ R _{L} )}$ [Hz]의 극점주파수를 갖는다.

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

11.

다음 회로에서 에미터 전류

I_{E} = 4

[mA]일 때 베이스－에미터 간 바이어스 전압

V_{B E}

[V]는? (단,

I_{B} = 0

이고, 소수점 셋째자리에서 반올림한다)

전자회로

①0.65
②0.69
③0.72
④0.75

정답 보기

정답 ② · 해설 보기

12.

정류기 부하 양단의 평균전압이 200 [V], 맥동률

r

＝ 5 %일 때, 교류전압 [V]은?

전자회로

①10
②20
③30
④40

정답 보기

정답 ① · 해설 보기

13.

다음 논리회로의 출력 Y의 논리식으로 옳은 것은?

전자회로

① $Y = (A B) + C$
② $Y = (A + B) C$
③ $Y = (A + B + C)$
④ $Y = A (B + C)$

정답 보기

정답 ② · 해설 보기

14.

다음 회로는 공통게이트(common-gate) 증폭기이다. 출력단에 부하를 연결하지 않은 상태에서 입력단의 소신호(small-signal) 입력저항(input resistance) 표현식으로 옳은 것은?

전자회로

① $\frac{R _{D} + r _{o}}{1 + g _{m} r _{o}}$
② $\frac{R _{D} + r _{o}}{g _{m} r _{o}}$
③ $R_{D} (1 + g_{m} r_{o}) + r_{o}$
④ $R_{D} + r_{o} (1 + g_{m} r_{o})$

정답 보기

정답 ① · 해설 보기

15.

이상적인 연산증폭기를 이용한 다음 회로에서 입력전압

v_{i}

＝ 2 [V]일 때, 출력전압

v_{o}

[V]는? (단, 다이오드

D

의 역방향 포화전류(reverse saturation current)

I_{S} = 1 [μ A]

, 열전압(thermal voltage)

\frac{k T}{q}

＝ 25 [mV],

R = 1 [MΩ]

이며,

ln (2) = 0.7

의 값을 사용한다)

전자회로

①－0.025
②－0.0175
③－0.0275
④－0.0375

정답 보기

정답 ② · 해설 보기

16.

다음 회로에서 입력전압

v_{i}

의 파형이 그림과 같이 인가될 때, 출력전압

v_{o}

의 파형으로 옳은 것은? (단,

V_{a}

＝ 10 [V],

T

＝ 1 [ms],

C

＝ 1 [

μ F

], R ＝ 5 [

kΩ

]이며, Si 다이오드의 순방향 저항

R_{d} ≪ R

이라 가정한다)

전자회로

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

17.

다음 논리회로의 출력

Y

를 간략화한 논리식으로 옳은 것은?

전자회로

① $Y = AC + B$
② $Y = A C + B$
③ $Y = A + BC$
④ $Y = A + B C$

정답 보기

정답 ④ · 해설 보기

18.

고주파대역에서 다음 회로의 입력 커패시턴스에 대한 표현식으로 옳은 것은? (단,

g_{m 1}

＝

g_{m 2}

＝

g_{m 3}

＝

g_{m 4}

＝

g_{m}

r_{o 1}

＝

r_{o 2}

＝

r_{o 3}

＝

r_{o 4}

＝

r_{o}

C_{g s 1}

＝

C_{g s 2}

＝

C_{g s 3}

＝

C_{g s 4}

＝

C_{g s}

C_{g d 1}

＝

C_{g d 2}

＝

C_{g d 3}

＝

C_{g d 4}

＝

C_{g d}

이다)

전자회로

① $\frac{C _{g s} + C _{g d} ( 1 + \frac{g _{m} r _{o}}{2} )}{2}$
② $2 [C_{g s} + C_{g d} (1 + \frac{g _{m} r _{o}}{2})]$
③ $\frac{C _{g s} + C _{g d} ( 1 + g _{m} r _{o} )}{2}$
④ $2 [C_{g s} + C_{g d} (1 + g_{m} r_{o})]$

정답 보기

정답 ① · 해설 보기

19.

다음 회로에서 교류 신호에 대한 트랜지스터의

r_{e}

등가모델을 이용한 입력저항

R_{i}

의 표현식으로 가장 가까운 것은? (단,

β_{1}

과

r_{e_{1}}

은 트랜지스터

Q_{1}

β_{2}

와

r_{e_{2}}

는 트랜지스터

Q_{2}

에 해당하는 파라미터이다. Early 효과는 없으며, 커패시터

C

는 충분히 커서 교류 신호에 대해서는 임피던스가 0 [

Ω

]이라고 가정한다)

전자회로

① $R_{1} ∣∣ R_{2} ∣∣ (β_{1} r_{e_{1}} + β_{1} β_{2} (r_{e_{2}} + R_{E}))$
② $R_{1} ∣∣ R_{2}$
③ $R_{1} ∣∣ R_{2} ∣∣ (β_{1} r_{e_{1}} + β_{2} r_{e_{2}} + R_{E})$
④ $R_{1} ∣∣ R_{2} ∣∣ (β_{1} r_{e_{1}} + β_{1} β_{2} r_{e_{2}} + R_{E})$

정답 보기

정답 ① · 해설 보기

20.

다음 회로는 이상적인 연산증폭기를 이용한 회로이다. 이 회로에 대한 설명으로 옳은 것을 모두 고른 것은?

ㄱ. 고주파대역에서 감쇠특성을 얻기 위한 능동 저역 통과 필터(Low Pass Filter) 회로이다.

ㄴ. $R_{A}$ ＝ $R_{B}$ ＝ $R$ 이고 $C_{A}$ ＝ $C_{B}$ ＝ $C$ 인 경우 차단주파수는 $\frac{1}{2 π R C}$ [Hz]이다.

ㄷ. 저항 $R_{1}$ 과 저항 $R_{2}$ 는 능동필터의 전압이득을 조정하는 데 사용된다.

ㄹ. 저지대역에서 －20 dB/decade의 롤－오프(roll-off) 특성을 갖는다.

전자회로

①ㄱ, ㄴ, ㄹ
②ㄱ, ㄷ
③ㄴ, ㄹ
④ㄱ, ㄷ, ㄹ

정답 보기

정답 ② · 해설 보기