9급 국가직 전자공학개론 2014년 기출문제

시행 2014-04-19 · 책형 S · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2014 9급 국가직 전과목

수와 코드에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①2진수 10.001을 10진수로 변환하면 2.125이다.
②8진수 64를 16진수로 변환하면 34이다.
③10진수 124를 BCD 코드로 변환하면 0001 0010 0100이다.
④음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 －203이다.

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그림 ㉠ ∼ ㉣ 회로에 정현파

v_{i} = 10 sin 500 t [V]

가 각각 입력되었을 때, 출력전압

V_{P - P} [V]

값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다)

㉠

㉡

㉢

㉣

회로

V_{P - P} [V]

전자공학개론

①㉠ 0
②㉡ 20
③㉢ 20
④㉣ 0

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㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은?

○ N 채널 증가형 MOSFET는 ( ㉠ )에서 동작하기 위해서 채널이 드레인 끝에서 핀치오프(pinch-off) 되어야 한다. 즉, 드레인 전압이 게이트 전압 아래로 문턱전압(threshold voltage) $V_{t n}$ 보다 더 떨어지지 않아야 한다.

○ P 채널 증가형 MOSFET는 ( ㉡ )에서 동작하기 위해서 드레인 전압이 게이트 전압보다 적어도 문턱전압 | $V_{tp}$ |만큼 초과해야 한다.

㉠㉡

전자공학개론

①포화영역(saturation region) 트라이오드 영역(triode region)
②포화영역(saturation region) 포화영역(saturation region)
③트라이오드 영역(triode region) 트라이오드 영역(triode region)
④트라이오드 영역(triode region) 포화영역(saturation region)

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정답 ① · 해설 보기

다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단,

2 π f_{0} L ≫ R

이다)

전자공학개론

①L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다.
②공진시 공진주파수는 $\frac{1}{2 π L C}$ 에 가깝다.
③공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다.
④R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한다.

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다음 회로에서 부하저항

R_{L}

이 최대전력 전달 조건을 만족하는 저항값을 가질 때 부하저항

R_{L}

에서 소비되는 최대전력

[W]

은?

전자공학개론

①8.25
②9.25
③10.25
④11.25

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다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프(pinch-off) 전압

V_{P} [V]

와 드레인－소스 전압이 10

[V]

일 때의 순방향 전달 컨덕턴스

g_{m} [mS]

에 가장 가까운 값은?

V_{P} [V]

g_{m} [mS]

전자공학개론

①2 2
②2 5
③8 2
④8 5

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㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은?

100 Hz, 120 Hz, 200 Hz의 주파수 성분으로 이루어진 아날로그 신호를 300 Hz의 주파수로 표본화(sampling)하면 표본화 주파수의 $\frac{1}{2}$ 을 넘는 주파수 성분이 신호에 존재하므로 ( ㉠ )이 발생한다. 그래서 이 신호를 차단주파수가 150 Hz인 ( ㉡ )에 먼저 통과시켜 ( ㉠ )을 방지한 후 표본화한다.

㉠㉡

전자공학개론

①앙상블(ensemble) 고역 통과 필터(High Pass Filter)
②앙상블(ensemble) 저역 통과 필터(Low Pass Filter)
③에일리어싱(aliasing) 고역 통과 필터(High Pass Filter)
④에일리어싱(aliasing) 저역 통과 필터(Low Pass Filter)

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다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압

V_{U T P} [V]

와 하측 트리거 기준 전압

V_{L T P} [V]

는? (단,

+ V_{o u t (m a x)} = + 4 V

- V_{out (m a x)} = - 4 V

3 R_{A} = R_{B}

이다)

V_{U T P} [V]

V_{L T P} [V]

전자공학개론

①＋1 －1
②＋1 －3
③＋3 －1
④＋3 －3

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정답 ① · 해설 보기

다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D － 플립플롭으로 설계할 때, D － 플립플롭 A의 입력

D_{A}

에 대한 논리식은? (단, 정의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다)

현재상태 A B	입력 X	다음상태 A B
0 0	0	0 1
0 0	1	1 0
0 1	0	1 1
0 1	1	1 0
1 0	0	0 0
1 0	1	1 1

전자공학개론

① $D_{A}$ ‗ X ＋ B
② $D_{A}$ ‗ A'X ＋ A'B ＋ BX
③ $D_{A}$ ‗ A'X ＋ AB ＋ AB'X
④ $D_{A}$ ‗ X ＋ AB'

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10.

다음 회로의 출력전압

V_{o u t}

[V]

은?

전자공학개론

①－27
②9
③18
④27

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11.

다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다.
②터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다.
③쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스위칭 타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다.
④PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽(potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정류작용에 사용된다.

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12.

출력 Y가 나머지 셋과 다른 것은?

전자공학개론

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13.

다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①영역 I에서 전자는 (＋)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한다.
②영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다.
③영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다.
④영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상이 전류를 주도한다.

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14.

페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①절대온도 $0 K$ 에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이다.
②온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다.
③진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다.
④온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이다.

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15.

다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V₁과 V₂의 값

[V]

은?

V₁ V₂

전자공학개론

①7 6
②7 10
③8 6
④8 10

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16.

다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가장 가까운 값은? (단,

V_{B E} = 0.7 V

β_{D C} = 150

r_{e}^{'} = 25 mV / I_{E}

이다)

전자공학개론

①1.5
②2
③2.5
④3

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17.

다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps ＝ 1,000 bps이며, 오디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다)

○ 표본화율(sampling rate) : 1,000 Hz

○ 양자화 비트(quantization bit) 수 : 5

○ 채널(channel) : 스테레오(stereo)

전자공학개론

①20
②40
③60
④80

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18.

논리식 A'B(D' ＋ C'D) ＋ B(A ＋ A'CD)와 동일한 것은?

전자공학개론

①AB
②B
③AB ＋ C'
④A ＋ BC'

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19.

다음 신호

f (t)

를 푸리에 변환한

F (ω)

는?

전자공학개론

① $\frac{4 s i n c ( \frac{π ω}{2} )}{ω}$
② $\frac{4 s i n c ( \frac{π ω}{4} )}{ω}$
③ $\frac{8 s i n ( \frac{π ω}{2} )}{ω}$
④ $\frac{8 s i n ( \frac{π ω}{4} )}{ω}$

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20.

다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값은 모두 0이라고 가정한다)

전자공학개론

①0 3 7 1 3 7 1 3
②0 5 6 1 4 3 5 6
③0 6 5 3 2 4 6 5
④0 6 5 2 4 3 6 5

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