9급 국가직 전자공학개론 2021년 기출문제

부울 대수식 $F$를 다음과 같이 등가변환할 때, 괄호에 들어갈 내용으로 옳은 것은?

$F=\overline{X}\overline{Z}+XYZ+X\overline{Z}=XY+()$

2의 보수를 활용한 2진수의 뺄셈 연산 수행 과정을 나타낸 다음의 식에서 $A$, $B$의 값으로 옳은 것은?

0110110 － $A$ ＝ 0110110 ＋ 1101001 ＝ $B$

$A$ $B$

다음 증폭기 회로의 주파수 응답 특성 곡선으로 옳은 것은? (단, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)

3 × 8 디코더를 사용하는 ROM이 다음과 같을 때, 입력 데이터 $A_2$$A_1$$A_0$가 011로 주어지는 경우 출력 데이터 $D_3$$D_2$$D_1$$D_0$로 옳은 것은? (단, $A_2$가 MSB이고, $A_0$는 LSB이다)

다음 회로에서 전구에 최대 전력을 전달하기 위한 저항 $R$ [Ω]은?

입력신호 $i_s(t)=120\sin (10^{6}t)$ [A]를 인가하여 부하 임피던스 $Z_L$에 최대 전력이 전달되도록 다음과 같은 회로를 구성할 때, 옳지 않은 것은? (단, $R=\frac{1}{3}$ [Ω], $C=4$ [μF]이다)

발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 발진회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, $L=5$ [μH], $C_1=C_2=1$ [nF], $R=1$ [kΩ]이고, 트랜지스터의 내부 커패시터 용량과 입력저항은 무시한다)

FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 블록도를 갖는 위상동기회로(PLL, Phase-Locked Loop)에 대한 설명으로 옳은 것은?

다음 회로에서 제너다이오드에 흐르는 전류 $I_Z$ [mA]는? (단, 제너전압은 20 [V]이다)

포화 영역에서 정상적으로 동작하는 MOSFET 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?

패킷교환망(packet-switched network)의 두 방식인 데이터그램망(datagram network)과 가상회선망(virtual circuit network)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

n채널 증가형 MOSFET에서 드레인에 흐르는 전류를 $I_D$라고 할 때, 채널 길이를 0.5배로 줄이고 채널 폭을 2배로 늘리면 드레인에 흐르는 전류는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하고, 산화층 정전용량, 전자 이동도, 문턱 전압, 게이트-소스 간 전압은 변하지 않는다고 가정한다)

D 플립플롭을 이용한 다음 디지털 논리 회로의 진리표로 옳은 것은? (단, $Q(t)$와 $Q(t+1)$은 각각 플립플롭의 현재 상태와 한 클록 에지 후의 상태를 나타낸다)

다음 회로에서 다이오드 $D_1$에 흐르는 전류 $I$ [mA]는? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다)

증폭기 회로와 전압이득 특성 곡선이 다음과 같을 때 옳지 않은 것은?

다음 회로에서 세 입력전압 $v_1$, $v_2$, $v_3$에 대한 출력전압 $v_o$를 $v_o=A{v}_1+B{v}_2+C{v}_3$와 같이 표현할 때 $A$, $B$, $C$의 값으로 옳은 것은? (단, $R_a=4$ [kΩ], $R_b=5$ [kΩ], $R_c=10$ [kΩ], $R_1=1$ [kΩ], $R_2=2$ [kΩ], $R_3=2$ [kΩ]이고, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)

$A$ $B$ $C$

다음과 같은 귀환 증폭기(feedback amplifier)에서 폐루프 이득(closed-loop gain) $A_f$가 100이라고 가정한다. 만약 개루프 이득(open-loop gain) $A$가 100배 커졌을 때 $A_f$ 값이 200으로 바뀌었다면, 이 증폭기의 귀환감쇠율(feedback attenuation factor) $\beta$에 가장 근접한 값은? (단, $A_f$는 $A$와 $\beta$에 의해서만 결정된다)