9급 국가직 전자공학개론 2025년 기출문제

시행 2025-04-05 · 책형 나 · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2025 9급 국가직 전과목

다음 BJT 증폭회로에서 컬렉터 전류

I_{C}

[mA]는? (단, 다이오드의 순방향 전압강하는 0.7 [V], 직류 전류이득

β_{D C}

＝ 100이고, 저항성분은 무시한다)

전자공학개론

①9.3
②9.7
③10.3
④10.7

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정답 ① · 해설 보기

다음 논리 회로에서 출력

F

의 논리식은?

전자공학개론

① $A B$
② $A + B$
③ $A B + A B$
④ $A B + A B$

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정답 ④ · 해설 보기

10진수 2025를 16진수로 표현하면?

전자공학개론

①789₁₆
②7D7₁₆
③7E8₁₆
④7E9₁₆

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다음 회로를 고역통과필터로 구성하기 위한 소자

Z_{1}

Z_{2}

는?

Z_{1}

Z_{2}

전자공학개론

① $R$ $C$
② $C$ $R$
③ $L$ $C$
④ $L$ $R$

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정답 ② · 해설 보기

전원전압

10∠20^{\circ}

[V]를 커패시터 1 [F]에 인가하였을 때, 전류[A]는? (단, 각주파수

ω

＝ 1 [rad/s]이다)

전자공학개론

① $1∠ - 70^{\circ}$
② $1∠20^{\circ}$
③ $10∠ - 70^{\circ}$
④ $10∠110^{\circ}$

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다음 BJT 증폭회로에서 컬렉터 전류

I_{C}

[mA]에 가장 가까운 값은? (단, 다이오드의 순방향 전압강하는 0.7 [V], 직류 전류이득

β_{D C}

＝ 100이고, 저항성분은 무시한다)

전자공학개론

①2.1
②3.1
③4.1
④5.1

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정답 ② · 해설 보기

다음 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로의 입출력 전달특성 그래프로 옳은 것은? (단, 양의 포화전압 ＋12 [V], 음의 포화전압 －12 [V], 연산증폭기는 이상적이다)

전자공학개론

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정답 ① · 해설 보기

다음 전파정류회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 입력전압은

v_{s} (t) = V_{m} sin (120 π t)

[V]이고, 다이오드는 이상적이다)

전자공학개론

①출력전압의 주파수는 60 [Hz]이다.
②출력전압의 평균값은 $\frac{V _{m}}{π}$ [V]이다.
③출력전압의 실횻값은 $\frac{V _{m}}{2}$ [V]이다.
④다이오드에 인가되는 역방향 최대전압은 $2 V_{m}$ [V]이다.

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정답 ③ · 해설 보기

다음 저역통과필터 회로에서 차단 주파수

f_{c}

[Hz]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자공학개론

① $\frac{250}{π}$
② $\frac{500}{π}$
③ $\frac{750}{π}$
④ $\frac{1000}{π}$

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10.

귀환발진기(feedback oscillator)에 대한 설명으로 옳은 것은?

전자공학개론

①발진시키는 데 외부 입력신호는 필요치 않다.
②발진을 시작하기 위해서는 루프 이득이 1이어야 한다.
③발진을 유지하기 위해서는 루프 이득이 1보다 커야 한다.
④발진하기 위해서는 피드백 루프의 위상 천이(phase-shift)가 180 °이어야 한다.

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정답 ① · 해설 보기

11.

다음 555타이머 IC를 활용한 구형파 발생 회로가 정상동작할 때, 커패시터

C_{1}

의 충전속도를 결정하는 시정수

τ_{1}

과 방전속도를 결정하는 시정수

τ_{2}

는? (단, 모든 소자는 이상적이다)

τ_{1}

τ_{2}

전자공학개론

① $(R_{1} + R_{2}) C_{1}$ $R_{2} C_{1}$
② $R_{2} C_{1}$ $(R_{1} + R_{2}) C_{1}$
③ $R_{1} C_{1}$ $R_{2} C_{1}$
④ $(R_{1} + R_{2}) C_{1}$ $R_{1} C_{1}$

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정답 ③ · 해설 보기

12.

다음 회로에서 전류

I_{S}

[A]는?

전자공학개론

①2
②3
③5
④7

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정답 ② · 해설 보기

13.

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①전류이득이 매우 크다.
②전압이득이 매우 크다.
③높은 입력임피던스를 가진다.
④달링턴(Darlington) 접속회로이다.

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14.

바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①BJT보다 FET의 집적도가 높다.
②BJT보다 FET의 입력 저항이 작다.
③FET는 전자 또는 정공의 단일 캐리어에 의해 전류가 형성된다.
④BJT는 활성영역에서 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다.

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정답 ② · 해설 보기

15.

다음 연산증폭기 회로에서 출력전압

V_{o}

[V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

전자공학개론

①－4
②－2
③2
④4

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16.

다음 논리게이트 회로의 진리표에서 입력

A

B

에 대한 출력

F

로 옳은 것은?

(가) (나) (다) (라)

전자공학개론

①0 0 0 1
②0 1 1 0
③1 0 0 0
④1 1 1 0

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17.

유무선 데이터 통신에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①네트워크 토폴로지에는 버스, 링 방식 등이 있다.
②회선교환 방식은 데이터그램 방식과 가상회선 방식으로 나뉜다.
③시스템들 간의 데이터 교환 방식에는 회선교환 방식, 패킷교환 방식 등이 있다.
④네트워크 토폴로지란 네트워크상의 노드 위치나 노드 간의 케이블 연결들의 물리적인 배치를 의미한다.

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18.

다음 4비트 시프트 레지스터 회로에서 입력신호 Clock, Input이 인가되었을 때, 구간(

t_{4}

～

t_{5}

)에서 출력

Q_{0} Q_{1} Q_{2} Q_{3}

는? (단, 출력

Q_{0}

Q_{1}

Q_{2}

Q_{3}

는 0으로 초기화되어 있고, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다)

전자공학개론

①0101
②0110
③1011
④1100

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19.

다음 카르노 맵(Karnaugh map)과 일치하는 논리식은?

$C D$ $A B$	00	01	11	10
00	1	0	1	1
01	1	1	0	1
11	1	1	0	1
10	1	0	0	1

전자공학개론

① $A B C + B C + D$
② $A B C + B C + D$
③ $A B C + B C + D$
④ $A B C + B C + D$

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20.

역방향 항복영역에서 동작하도록 설계되어 양단 전압을 일정한 값으로 유지하는 다이오드는?

전자공학개론

①광 다이오드(photo diode)
②제너 다이오드(zener diode)
③버랙터 다이오드(varactor diode)
④발광 다이오드(light-emitting diode)

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