[7급 국가직 전자회로 2017년 20번]

다음 MOSFET 증폭기회로의 전압이득 $\left(\frac{V_{out}}{V_{in}}\right)$은? (단, $g_{m1}$은 트랜지스터 $M_1$, $g_{m2}$는 트랜지스터 $M_2$에 해당하는 파라미터이다. body effect와 channel length modulation은 무시하며 커패시터 C_B는 충분히 커서 교류신호에 대해서 임피던스는 0 [Ω]으로 가정한다)

1. ①$\left(-\frac{(R_1+R_2)\parallel R_3}{R_S+(R_1+R_2)\parallel R_3}\right)\left(\frac{R_2\parallel \frac{1}{g_{m2}}}{\frac{1}{g_{m1}}+R_4}\right)$
2. ②$\left(-\frac{(R_1+R_2)\parallel R_3}{R_S+(R_1+R_2)\parallel R_3}\right)\left(\frac{\frac{1}{g_{m2}}}{\frac{1}{g_{m1}}+R_4}\right)$
3. ③$\left(-\frac{R_1\parallel R_3}{R_S+R_1\parallel R_3}\right)\left(\frac{R_2\parallel \frac{1}{g_{m2}}}{\frac{1}{g_{m1}}+R_4}\right)$
4. ④$\left(-\frac{R_1\parallel R_3}{R_S+R_1\parallel R_3}\right)\left(\frac{\frac{1}{g_{m2}}}{\frac{1}{g_{m1}}+R_4}\right)$

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출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)