7급 국가직 전자회로 2017년 기출문제

하한 차단주파수가 150 [kHz]이고 상한 차단주파수가 600 [kHz]인 대역통과필터(bandpass filter)의 Q(quality factor)값은?

다음 회로에서 변압기 권선비는 10 : 1이고 왼편 1차 측 전압은 $V_{in}=110\sin (120\pi t)$[V]이다. 다이오드에 걸리는 최대 역방향 전압[V]은? (단, 다이오드 양단의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

다음 회로에서 출력 $Y$의 논리식은?

다이오드회로에 대한 설명으로 옳은 것만을 모두 고른 것은?

ㄱ. 발광 다이오드(light emitting diode)는 순방향 바이어스를 인가하여 사용하며 발광하는 빛의 출력량은 순방향 전류에 비례한다.

ㄴ. 터널 다이오드(tunnel diode)는 부성저항(negative resistance) 영역의 특성이 있어 발진회로에 사용될 수 있다.

ㄷ. 버랙터 다이오드(varactor diode)는 역방향 바이어스가 증가할수록 다이오드의 커패시턴스는 증가한다.

ㄹ. 실리콘 PN 접합 다이오드에 순방향 바이어스를 인가하면 공핍 영역은 넓어지고 다이오드 양단에는 장벽전위 0.7 [V]가 걸린다.

다음 디지털 논리회로에서 입력이 $A$, $B$이고 출력이 $Y$일 경우, 입출력 사이의 논리식이 다른 것은?

다음 왼쪽 그림 (a)에 표시한 주파수 특성을 갖는 연산 증폭기를 이용하여 오른쪽 그림 (b)의 부궤환(negative feedback)회로를 구현하였다. $R_2=1,000R_1$일 때, A[dB]와 B[MHz]의 값으로 가장 가까운 것은?

A B

다음 회로에서 정현파인 입력파형($V_{in}$)이 가해진 경우, 정상상태에서 출력파형($V_{out}$)은? (단, 다이오드 양단의 순방향전압은 0.7 [V]이다)

다음 저역통과필터의 전압이득 $\left(\frac{V_{out}}{V_{in}}\right)$이 10일 때, 차단주파수가 50 [kHz]가 되기 위한 $R_1$[kΩ]과 $R_2$[kΩ]는? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

R₁ R₂

다음 위상천이 발진기에서 발진각주파수가 1,000 [rad/s]인 경우, 발진기로 동작하기 위한 저항 $R$[kΩ]과 $R_f$[kΩ]의 값은? (단, $C=0.1[\mu \mathrm{F}]$, $\sqrt{6}=2.5,$ 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

R R_f

다음 그림과 같이 R/2R 사다리형 DAC(digital-analog converter) 회로를 구성한 후 ＋5 [V]의 기준전압을 인가할 때, 출력전압 $V_{out}$[V]은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

다음 증폭회로에서 전압이득 $\left|\frac{V_{out}}{V_{in}}\right|$의 값은? (단, $M_1$의 전달컨덕턴스 $g_m$ ＝ 10 [m℧]이고 $R_S$ ＝ 900 [Ω]이다)

다음 회로에서 $R_1=3R_2$이고 $3R_3=R_4$일 때, 출력전압 $V_{out}$은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

다음 회로의 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 CMOS 논리회로에서 출력 $Z$의 논리식은?

다음 MOSFET 증폭기회로의 전압이득 $\left(\frac{V_{out}}{V_{in}}\right)$은? (단, $g_{m1}$과 $r_{o1}$은 트랜지스터 $M_1$, $g_{m2}$와 $r_{o2}$는 트랜지스터 $M_2$에 해당하는 파라미터이다. body effect는 무시하며 커패시터 $C$는 충분히 커서 교류신호에 대해서 임피던스는 0 [Ω]으로 가정한다)

다음은 n－채널 MOSFET으로 구성된 바이어스회로이다. 이 회로에서 n－채널 MOSFET은 포화영역(saturation region)에서 동작하고 있고 $V_{OQ}$는 2.5 [V]일 때 n－채널 MOSFET의 채널폭과 채널길이 비인 $\frac{W}{L}$ 의 값은? (단, 공정전달 컨덕턴스 파라미터 $k_n^{}={\mu }_n{C}_{ox}=10^{-4}$ [A/V²], 문턱전압 $V_{tn}=0.5$ [V], channel length modulation 및 body effect는 무시한다)

다음 회로는 CMOS 인버터 5단을 이용하여 만든 링 발진기(ring oscillator)이다. 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음은 입력신호 $V_{in}$을 변조해서 출력신호 $V_{out}$을 발생시키는 회로이다. 이 전체회로의 변조방식은?

다음 진리표로부터 논리식을 나타낸 것으로 옳은 것은? (단, x는 don’t care상태이다)

A	B	C	D	Y
0	0	0	0	0
0	0	0	1	1
0	0	1	0	0
0	0	1	1	0
0	1	0	0	1
0	1	0	1	x
0	1	1	0	0
0	1	1	1	0
1	0	0	0	0
1	0	0	1	1
1	0	1	0	0
1	0	1	1	0
1	1	0	0	1
1	1	0	1	x
1	1	1	0	0
1	1	1	1	0

다음 MOSFET 증폭기회로의 전압이득 $\left(\frac{V_{out}}{V_{in}}\right)$은? (단, $g_{m1}$은 트랜지스터 $M_1$, $g_{m2}$는 트랜지스터 $M_2$에 해당하는 파라미터이다. body effect와 channel length modulation은 무시하며 커패시터 C_B는 충분히 커서 교류신호에 대해서 임피던스는 0 [Ω]으로 가정한다)