[7급 국가직 전자회로 2019년 12번]

N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳은 것은?
전자회로
  1. ①게이트 산화막 두께가 얇아질수록 트랜지스터의 전류는 증가한다.
  2. ②드레인-소스 전압에 따라 전류의 크기가 변하는 현상을 몸체효과(body effect)라고 한다.
  3. ③채널 길이가 짧아짐에 따라 채널길이변조(channel length modulation) 현상은 줄어든다.
  4. ④게이트-소스 전압이 문턱 전압보다 크고 게이트-드레인 전압이 문턱 전압보다 작을 때 트랜지스터는 선형(linear) 영역에서 동작한다.

선지를 골라 바로 채점해 보세요.

정답 ①

출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

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