[7급 국가직 전자회로 2019년 16번]

다음 회로에서 MOSFET이 포화영역에서 동작하기 위한 R_D의 최댓값[$\mathrm{k}\Omega$]은? (단, MOSFET 문턱전압 V_th ＝ 0.8 [V], 공정전달컨덕턴스 파라미터 $k_n={\mu }_n{C}_{ox}$ ＝ 200 [μA/V²], 채널폭과 채널길이 비 W/L ＝ 10이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시하고 연산증폭기는 이상적이다)