7급 국가직 전자회로 2018년 기출문제

시행 2018-08-18 · 책형 나 · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2018 7급 국가직 전과목

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①회로를 증폭기로 사용하기 위해서는 트랜지스터 $M_{1}$ 이 포화영역(saturation region)에서 동작하도록 DC 동작조건을 설정해야 한다.
②회로가 증폭기로 동작하고 다른 모든 조건이 동일할 때 전압이득 $∣ A_{v} ∣$ 은 저항 $R_{S}$ 의 크기가 클수록 커진다.
③회로가 증폭기로 동작하고 다른 모든 조건이 동일할 때 전압이득 $∣ A_{v} ∣$ 은 저항 $R_{D}$ 의 크기가 클수록 커진다.
④트랜지스터 $M_{1}$ 에 게이트 누설전류(gate leakage current)가 없을 때 입력에서 바라본 입력저항은 무한대의 값을 갖는다.

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정답 ② · 해설 보기

밀러(Miller) 정리를 이용하여 그림 (a)의 회로를 그림 (b)의 등가회로로 바꾸었을 때

C_{i n}

과

C_{L}^{^{'}}

의 표현식으로 올바른 것은? (단,

K

는

\frac{V _{o}}{V _{g s}}

이다)

C_{in}

C_{L}^{^{'}}

전자회로

① $C_{g s} + C_{g d} (1 - K)$ $C_{L} + C_{g d} (1 - \frac{1}{K})$
② $C_{g s} + C_{g d} (1 - \frac{1}{K})$ $C_{L} + C_{g d} (1 - K)$
③ $C_{g s} + \frac{C _{g d}}{( 1 - K )}$ $C_{L} + (\frac{C _{g d}}{1 - \frac{1}{K}})$
④ $C_{g s} + (\frac{C _{g d}}{1 - \frac{1}{K}})$ $C_{L} + \frac{C _{g d}}{( 1 - K )}$

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정답 ① · 해설 보기

10 [kHz]의 신호파와 100 [MHz]의 반송파를 가지고 최대 주파수 편이를 50 [kHz]로 하여 주파수 변조(FM)를 하였을 때, 대역폭

B W

[kHz]는?

전자회로

①20
②100
③120
④150

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정답 ③ · 해설 보기

다음 회로에서 입력전압(

V_{i}

)과 출력전압(

V_{o}

)의 관계를 옳게 표시한 것은? (단, 네 개의 다이오드는 모두 이상적이라고 가정한다)

전자회로

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정답 ② · 해설 보기

다음 회로의 전달함수는

H (s) = \frac{V _{O} ( s )}{V _{I} ( s )} = \frac{1}{1 + s X + s ^{2} ( R ^{2} C _{1} C _{2} )}

이다.

X

에 적합한 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

전자회로

① $R C_{1}$
② $2 R C_{1}$
③ $R C_{2}$
④ $2 R C_{2}$

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정답 ④ · 해설 보기

다음 쌍안정 회로에서 높은 쪽 문턱전압

V_{T H}

[V]와 낮은 쪽 문턱전압

V_{T L}

[V]의 값은? (단, 포화전압은

V_{H} = - V_{L} = 12

[V]이다)

V_{T H}

V_{T L}

전자회로

①6 -6
②24 -24
③4 -4
④8 -8

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정답 ① · 해설 보기

다음 회로의 전달함수

\frac{V _{o} ( s )}{V _{i} ( s )}

에서 극점(pole)을 올바르게 구한 것은? (단,

g_{m}

은

M

의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation), 몸체효과(body effect), 기생커패시턴스 성분은 무시한다)

전자회로

① $- \frac{1}{R _{S} C _{S}}$
② $- \frac{g _{m}}{C _{S}}$
③ $- \frac{1}{( 1 + g _{m} R _{S} ) R _{S} C _{S}}$
④ $- \frac{1 + g _{m} R _{S}}{R _{S} C _{S}}$

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정답 ④ · 해설 보기

다음은 상보형 MOSFET를 이용한 D급 증폭기의 블록다이어그램이다. A－B－C에 들어갈 명칭을 순서대로 바르게 나열한 것은?

전자회로

①PWM변조기 － 보상 푸시풀 스위칭 증폭기 － 저역통과필터
②PWM변조기 － 저역통과필터 － 보상 푸시풀 스위칭 증폭기
③PCM변조기 － 보상 푸시풀 스위칭 증폭기 － 저역통과필터
④PCM변조기 － 저역통과필터 － 보상 푸시풀 스위칭 증폭기

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정답 ① · 해설 보기

다음 회로에서

\frac{R _{2}}{R _{1}}

값을

R

과

C

의 함수로 바르게 나타낸 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

전자회로

① $\frac{R _{2}}{R _{1}} = \frac{1}{s C R} + 2$
② $\frac{R _{2}}{R _{1}} = \frac{1}{s C R} + 2 + s C R$
③ $\frac{R _{2}}{R _{1}} = \frac{1}{s C R} + s C R$
④ $\frac{R _{2}}{R _{1}} = 2 + s C R + s^{2} C R$

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정답 ② · 해설 보기

10.

다음 회로에서 출력전압

V_{o} = - \frac{R _{2}}{R _{1}} V_{i}

가 되기 위한

I_{C}

와

V_{X}

의 조건은? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

전자회로

① $I_{C} = - \frac{1}{R _{1}} V_{X}$
② $I_{C} = - \frac{1}{R _{2}} V_{X}$
③ $I_{C} = - (\frac{1}{R _{1}} + \frac{1}{R _{2}}) V_{X}$
④ $I_{C} = - (1 + \frac{R _{2}}{R _{1}}) \frac{1}{R _{1}} V_{X}$

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11.

다음 카르노 맵(Karnaugh map)에 대한 논리식으로 옳은 것은?

$y z$ $x$	00	01	11	10
0	1	1		1
1	1	1	1	1

전자회로

① $F = x + y + z$
② $F = x + y + z$
③ $F = x + y + z$
④ $F = x + y + z$

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정답 ③ · 해설 보기

12.

다음 회로에서 출력전압

V_{o}

[V]는? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다)

전자회로

①1.5
②2
③3
④5

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13.

다음 회로에서

V_{i 1} =

1 [V],

V_{i 2} =

2 [V]일 때 출력전압

V_{o}

[V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

전자회로

①2
②－2
③5
④－5

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14.

출력 구조가 개방 드레인(open-drain)인 논리게이트(logic gate)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자회로

①정상적인 출력전압을 얻기 위해서는 드레인 단자를 풀업저항(pull-up resistor)을 통해 전원에 연결해야 한다.
②개방 드레인 출력 단자들끼리 결선-AND(wired-AND) 연결이 가능하다.
③서로 다른 전원전압을 사용하는 논리게이트와의 인터페이스에 사용할 수 있다.
④일반적으로 표준 CMOS 논리게이트에 비해 출력단의 회로가 복잡하다.

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15.

다음 회로에서 5 [V] 제너다이오드가 동작하기 위해서는 최소 전류 1 [mA]가 다이오드에 흘러야 한다.

V = 11

[V],

R = 1

[kΩ]인 경우

V_{o} = 5

[V]를 유지할 수 있는 저항

R_{L}

[kΩ]의 최솟값은?

전자회로

①1
②5
③6
④11

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16.

다음 회로에 대한 진리표에서

Q (t)

에 들어갈 내용으로 옳은 것은?

$ϕ$	$S$	$R$	$Q (t)$
1	0	0	(a)
1	1	0	(b)
1	0	1	(c)
0	x	x	(d)

(a) (b) (c) (d)

전자회로

①0 1 0 $Q (t - 1)$
② $Q (t - 1)$ 1 0 $Q (t - 1)$
③ $Q (t - 1)$ 0 1 0
④ $Q (t - 1)$ 0 1 $Q (t - 1)$

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정답 ② · 해설 보기

17.

다음 증폭기 회로에서 소신호 전압이득

A_{v} = \frac{V _{o}}{V _{i}}

의 표현식으로 적합한 것은? (단,

g_{m}

은

M_{1}

의 전달컨덕턴스이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시한다)

전자회로

① $A_{v} = \frac{g _{m} R _{D} R _{X}}{R _{S} ( 1 + g _{m} R _{X} ) + R _{X}}$
② $A_{v} = \frac{g _{m} R _{D} R _{X}}{R _{S} ( 1 + g _{m} R _{X} )}$
③ $A_{v} = \frac{g _{m} R _{D} R _{X}}{R _{S} ( 1 + g _{m} R _{X} + g _{m} R _{S} ) + R _{X}}$
④ $A_{v} = \frac{g _{m} R _{D}}{1 + g _{m} ( R _{D} + R _{X} )}$

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18.

이상적인 연산증폭기와 순방향 전류

I_{F} = I_{R}

e^{q V_{F} / k T}

[A]의 특성을 갖는 다이오드를 이용한 다음 회로에서 출력전압

V_{o}

[V]는? (단,

I_{R}

은 역방향 누설전류,

q

는 전자의 전하,

k

는 볼츠만 상수,

T

는 캘빈온도이다)

전자회로

① $V_{o} = - (\frac{k T}{q}) ln (\frac{V _{i}}{I _{R} R})$
② $V_{o} = - (\frac{k T}{q}) ln (\frac{I _{R} R}{V _{i}})$
③ $V_{o} = - (\frac{q}{k T}) ln (\frac{V _{i}}{I _{R} R})$
④ $V_{o} = - (\frac{q}{k T}) ln (\frac{I _{R} R}{V _{i}})$

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정답 ① · 해설 보기

19.

다음 회로와 동일한 기능을 수행하는 논리회로는? (단, TG 게이트는 NMOS와 PMOS를 병렬로 연결한 것이다)

전자회로

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20.

전류증폭률이 각각

h_{f e 1}

h_{f e 2}

인 두 개의 트랜지스터

Q_{1}

Q_{2}

가 다음 회로와 같이 구성되었을 때,

I_{C}

[A]의 표현으로 옳은 것은?

전자회로

① $I_{C} = h_{f e 1} \cdot h_{f e 2} \cdot I_{B}$
② $I_{C} = (h_{f e 1} + h_{f e 2}) \cdot I_{B}$
③ $I_{C} = h_{f e 2} (h_{f e 1} + 1) \cdot I_{B}$
④ $I_{C} = h_{f e 1} \cdot I_{B} + h_{f e 2} (h_{f e 1} + 1) \cdot I_{B}$

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정답 ④ · 해설 보기