9급 지방직 전자공학개론 2009년 기출문제

시행 2009-05-23 · 책형 A · 20문항 · 출처: 인사혁신처 공개 기출(공공데이터포털, 이용허락 제한 없음)

전체 풀기 (시험 모드)원본 PDF 받기 2009 9급 지방직 전과목

집적회로(IC)에서 BJT보다 CMOS 소자를 많이 사용하는 이유로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①CMOS가 전력을 적게 소모하기 때문
②CMOS가 일반적으로 BJT보다 훨씬 빠르기 때문
③CMOS는 같은 기능을 하는 BJT에 비해 더 작게 만들어 집적하기가 좋기 때문
④CMOS가 잡음에 더 강하기 때문

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그림과 같은 증폭회로의 입력 임피던스

R

_in [

k

Ω

]는? (단,

h_{i e} = 100 [Ω]

h_{f e} = 100

이다)

전자공학개론

①1.11
②1.01
③2.11
④2.01

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정답 ① · 해설 보기

이미터 공통 증폭기의 입력 교류신호(

I_{b}

V_{b}

)에 대한 출력 교류신호(

I_{c}

V_{c}

)의 위상을 나타낸 것은?

전자공학개론

①출력교류전류와 출력교류전압이 모두 동위상
②출력교류전류는 역위상, 출력교류전압은 동위상
③출력교류전류는 동위상, 출력교류전압은 역위상
④출력교류전류와 출력교류전압이 모두 역위상

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정답 ③ · 해설 보기

그림과 같은 대역통과필터의 주파수 응답곡선에서 대역폭 BW [

k Hz

]와 선택도 Q는?

BW Q

전자공학개론

①10 50
②20 50
③10 25
④20 25

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LC 발진회로가 아닌 것은?

전자공학개론

①동조형 발진회로
②이상형 발진회로
③콜피츠 발진회로
④하틀리 발진회로

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정답 ② · 해설 보기

다음과 같은 다단 증폭기에서 전체 전압이득의 크기는?

전자공학개론

①－60
②120
③60
④－120

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정답 ④ · 해설 보기

다음 논리식을 간략화한 것은?

$P = (A + A B) (A + A B) (A + C)$

전자공학개론

① $A$
② $A B$
③ $A + B$
④ $A B$

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그림과 같은 4단자망 회로에서 어드미턴스 파라미터(y-parameter)의 입력 단락시 출력 어드미턴스

y_{22}

는?

전자공학개론

① $Y_{b} - Y_{c}$
② $Y_{a} - Y_{b}$
③ $Y_{b} + Y_{c}$
④ $Y_{a} + Y_{b}$

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정답 ③ · 해설 보기

1차 코일의 권선 수는 200이고 2차 코일의 권선 수는 600인 변압기가 있다. 1차 코일에 100 [

V

]의 전압이 걸릴 때 소비전력이 600 [

W

]였다면, 2차 코일에 흐르는 전류 [

A

]는?

전자공학개론

①10
②20
③1
④2

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10.

다음 각 논리회로의 동작을 논리식으로 바르게 표현한 것은?

(가) (나)

전자공학개론

① $Y = A + B + C$ $Y = ABC$
② $Y = ABC$ $Y = A + B + C$
③ $Y = A + B + C$ $Y = ABC$
④ $Y = ABC$ $Y = A + B + C$

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11.

전기회로의 측정에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①전압계는 측정하고자 하는 회로소자에 병렬로 연결해야 하고, 전류계는 측정하고자 하는 회로소자에 직렬로 연결해야 한다.
②우수한 전압계는 매우 큰 내부저항을 가져야 하고, 우수한 전류계는 매우 작은 내부저항을 가져야 한다.
③멀티미터의 선택 스위치를 AC에 두고 정현파 신호를 측정하면 그 값은 실효값을 나타낸다.
④오실로스코프는 측정하고자 하는 신호가 일정한 주파수를 가질 때 사용하는 전압계/전류계이다.

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12.

다음 회로가 정상상태에 도달하였을 때, 저항 2 [

Ω

]을 통해 흐르는 전류값 [

A

]은? (단, 10 [

V

]는 직류전원이다)

전자공학개론

①2
②0
③1
④5

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13.

차동증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①차동신호의 이득은 작고 공통신호 이득은 클수록 양호한 특성을 얻는다.
②공통신호제거비의 값이 클수록 차동증폭기의 특성은 우수하다.
③직류신호에서 고주파 신호까지 증폭이 가능하다.
④공통신호제거비는 (차동전압의 이득/공통전압의 이득)의 비로 정의된다.

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14.

실리콘 PN 접합에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①PN 접합에서 전위장벽은 정공과 전자가 서로 반대영역으로 이동하는 것을 가로막는다.
②PN 접합에서 역방향 전압이 어떤 임계전압값을 넘으면 역방향 전류가 급격히 증가하는 항복현상이 일어난다.
③전압이 인가되지 않은 PN 접합에서 불순물 농도가 증가할수록 전위장벽은 낮아진다.
④PN 접합에서 공핍층 용량은 접합부에서 생기는 공간전하영역이 고정된 이온의 형태로 전하를 축적하여 생긴다.

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15.

다음 회로에서 정현파 입력 전압

V_{S}

가 인가될 때, 저항

R

에서의 한주기 동안 전압파형

V_{R}

은? (단, 다이오드의 turn-on 전압은 무시한다)

전자공학개론

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16.

그림과 같은 4－bit D/A 변환기의 스위치

S_{4}

S_{3}

S_{2}

S_{1}

에 2진 신호 ‘1001’이 인가될 때, 출력전압은?

전자공학개론

① $- (\frac{R _{F}}{R _{2}} + \frac{R _{F}}{R _{3}}) \times V_{R E F}$
② $- (\frac{R _{F}}{R _{1}} + \frac{R _{F}}{R _{4}}) \times V_{R E F}$
③ $- (\frac{R _{F}}{R _{2}} + \frac{R _{F}}{R _{4}}) \times V_{R E F}$
④ $- (\frac{R _{F}}{R _{1}} + \frac{R _{F}}{R _{3}}) \times V_{R E F}$

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17.

반도체 소자와 관련된 용어의 설명으로 옳지 않은 것은?

전자공학개론

①Fermi 준위 : Fermi 준위에서 에너지상태는 전자에 의하여 점유될 확률이 50 %이다.
②Early 효과 : BJT 컬렉터접합의 역바이어스 전압이 증가됨에 따라 공간전하층은 베이스의 폭을 더욱 점유하며, 그 결과로 실효 베이스 폭은 감소한다.
③Zener 항복 : 고농도 도핑이 이루어진 PN접합이 역바이어스 전압에 의해 전자의 터널링으로 큰 역방향 전류를 형성하게 된다.
④Body 효과 : MOSFET 소자에서 기판전압 V_B≠0인 경우, 문턱전압은 소스와 기판 사이의 순방향 전압에 의존한다.

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18.

그림과 같이 45 °, 135 °, 225 °, 315 °의 위상과 동일한 진폭을 갖는 4개 정현파 심볼이 있다. 이 심볼의 주기당 2 비트 정보를 전송하는 디지털 변조방식은?

전자공학개론

①Frequency Shift Keying (FSK)
②Binary Phase Shift Keying (BPSK)
③Quadrature Phase Shift Keying (QPSK)
④Amplitude Shift Keying (ASK)

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19.

다음 빈칸에 들어갈 용어가 바르게 짝지어진 것은?

순차회로에서 에지 트리거(edge trigger) 플립플롭의 안전한 동작을 보장하기 위하여 규정하는 타이밍 규칙이 있다. 클럭의 에지 전에 일정한 시간 동안 입력값이 변하지 않고 그 값을 유지해야 하는 시간을 ( ㉠ )이라 하고, 클럭 에지 이후에도 일정한 시간 동안 입력값이 변하지 않아야 하는 시간을 ( ㉡ )이라 한다.

㉠㉡

전자공학개론

①셋업(setup) 시간 에지지연(edge delay) 시간
②셋업(setup) 시간 홀드(hold) 시간
③에지지연(edge delay) 시간 셋업(setup) 시간
④홀드(hold) 시간 셋업(setup) 시간

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20.

다음 회로에서 4 [

Ω

] 저항 양단의 전압 [

V

]은?

전자공학개론

①5
②6
③8
④12

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