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7급 국가직 전자회로 2016년 기출문제 PDF

시행 2016-08-27 · 책형 2 · 20문항 · 3쪽 · 367KB · 출처 인사혁신처 공개 원본

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7급 국가직 전자회로 2016년 시험지 1쪽

수록 문항

  1. 일반적인 트랜지스터의 설명으로 옳은 것은?
  2. 다음 브릿지 정류회로에서 출력 리플(ripple)전압, V_r을 표현한 …
  3. 다음 중간탭(center-tap) 전파 정류회로에 대한 설명으로 옳은 것…
  4. 다음 회로에서 전압 증폭비 ((V_o)/(V_i)) 값은? (단, 연산 …
  5. 다음 트랜지스터는 활성(active)영역에서 동작하도록 바이어스 되어 있…
  6. 일반적인 CMOS 공정을 사용하여 구현한 회로에서 발생할 수 있는 lat…
  7. 다음 MOSFET 바이어스 회로에서 트랜지스터 M_1은 포화(satura…
  8. 다음은 무슨 논리 회로인가? (단, 정논리로 해석한다)
  9. 다음 회로가 공통소스(common-source) 증폭기로 동작하기 위해서…
  10. 다음 DC－DC 컨버터 회로에서 V_i = 15[V], V_o = 5[V…
  11. DSB－LC 진폭변조(AM)에서 반송파 V_c = 20sin(2π10⁷t…
  12. 슈미트 트리거(Schmitt Trigger)의 동작에 대한 설명으로 옳지…
  13. 캐스코드(cascode) 증폭기의 전압이득으로 옳은 것은?
  14. n－채널 MOSFET이 포화영역(saturation region)에서 동…
  15. CMOS를 이용한 다음 그림과 같은 회로에서 입력단자(V_A) = 101…
  16. 다음 회로의 논리함수로 옳은 것은?
  17. 다음 회로에서 트랜지스터가 포화 영역에 바이어스 되어 있다고 가정할 때,…
  18. 다음 회로에서 연산증폭기 이득이 100,000이고, R_1 = 1.8[k…
  19. 다음 공통소스(common-source) 증폭회로의 고주파 영역 해석에서…
  20. V_DD = 5[V]이고 MOSFET Q_1의 k_n(W/L)_1 = 0…

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인사혁신처 공개 원본을 그대로 제공합니다. 정답과 문항별 해설은 2016년 회차 페이지에서 확인하세요.