7급 국가직 전자회로 2020년 기출문제

정현파 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

다음 회로에 V_i 신호가 인가되었을 때, 출력 V_o의 파형으로 옳은 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압강하는 0 [V]이고, RC 시정수는 매우 크다)

20 [kHz]의 음성신호를 8비트 양자화 및 부호화를 거쳐 PCM(pulse code modulation)으로 전송하고자 할 때, 이 신호의 전송속도[kbps]는?

다음 윈 브릿지 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

다음 회로에서 트랜지스터 Q₁의 컬렉터 전류 I_C1 [mA]로 가장 가까운 것은? (단, 모든 트랜지스터에서 $\beta$ ＝ 100이고, V_BE ＝ 0.7 [V]이다)

다음 JFET 회로에서 트랜지스터의 특성은 I_DSS ＝ 10 [mA], V_GS(off) ＝ －8 [V]이며, 각 소자값은 V_GG ＝ 2 [V], V_DD ＝ 20 [V], R_D ＝ 2 [kΩ]이다. 직류(DC) 동작점 I_DQ [mA], V_DSQ [V]는?

I_DQ V_DSQ

다음 회로에서 증폭기의 입력 옵셋전압 V_OS [mV]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

연산증폭기의 단위이득 주파수 f_T가 10 [MHz]인 다음 증폭기 회로에서 대역폭(bandwidth) [MHz]은? (단, 연산증폭기의 주파수 특성은 차단주파수 이상에서 20 [dB/decade]로 감소한다)

다음 증폭회로의 소신호 전압증폭도 $\frac{{\mathrm{V}}_{\mathrm{o}}}{{\mathrm{V}}_{\mathrm{i}}}$는? (단, BJT Q의 V_BE ＝ 0.7 [V], $\beta$ ＝ 100, V_T ＝ 26 [mV], I_CQ ＝ 1.3 [mA], r${}_{\pi }$ ＝ 2 [kΩ]이며, 소신호 등가회로는 그림과 같다)

다음 승·강압이 가능한 벅－부스트(buck-boost) 컨버터의 회로에서 스위치 M이 도통비(duty ratio) 50 %로 동작할 때, 다이오드 D에 인가되는 역전압[V]은? (단, 소자들은 이상적이고 정상상태에서 동작하며, 인덕터 전류는 연속이고 출력커패시터 전압 리플은 무시한다)

다음 이상적인 궤환(feedback) 증폭기 회로에서 입력 저항 ${\mathrm{R}}_{\mathrm{if}}$와 출력 저항 $R_{of}$는?

${\mathrm{R}}_{\mathrm{if}}$ $R_{of}$

다음 논리회로의 출력 Y를 간략하게 표현한 것은?

AM 변조 방식에서 피변조파 전력이 반송파 전력의 1.32배일 때, 상측파(USB) 전력은 반송파 전력의 몇 배인가?

다음 논리회로에 A ＝ 1010, B ＝ 0110, C ＝ 0101이 순차적으로 입력될 때, 출력 Y의 값은?

다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 다이오드의 순방향 전압은 0.7 [V]이다)

다음 정전류원 회로에서 I ＝ 10 [mA]가 되기 위한 제너 다이오드 전압 V_Z [V]로 가장 가까운 값은? (단, V_BE ＝ 0.7 [V]이다)

다음 회로에서 입력 임피던스 Z_in은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

반도체 집적회로(integrated circuit)로 8비트의 아날로그－디지털 변환기를 설계하고자 할 때, 다음 중 가장 빠른 동작 특성을 갖는 구조는? (단, time-interleaved 기법 등 다른 구조와 병합하지 않고, 샘플링 주파수를 제외한 소비전력 및 면적 등의 다른 특성은 고려하지 않는다)

다음 회로를 고주파 해석할 때 필요한 입력 커패시턴스 C_IN [$\mu$F]은? (단, M₁의 g_m1 ＝ 1 mA/V, $r_{o1}$ ＝ $\infty$, M₁의 기생 커패시턴스는 무시한다)

다음 SR 플립플롭(flip-flop) 회로의 입출력 파형으로 옳은 것은?